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分享:IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別(1)用測電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字: IGBT 場效應(yīng)管 檢測方法
IGBT的特點、應(yīng)用及未來的研究方向
- 近年來,IGBT被廣泛關(guān)注,隨著技術(shù)的發(fā)展,其應(yīng)用前景被廣泛看好,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT,在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓
- 關(guān)鍵字: IGBT
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