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意法半導體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊,節(jié)省高能效電機驅(qū)動電路的空間
- 意法半導體SLLIMM?-nano系列IPM產(chǎn)品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM),提供IGBT或MOSFET輸出選擇,用于電機內(nèi)置驅(qū)動器或其它的空間受限的驅(qū)動器,輸出功率范圍從低功率到最高100W?! ⌒履K的導通能效和開關(guān)能效都很高,特別是在最高20kHz硬開關(guān)電路內(nèi)表現(xiàn)更為出色。通過管理開關(guān)電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt),內(nèi)部柵驅(qū)動電路能夠?qū)㈦姶泡椛?EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產(chǎn)品的可靠性,支持無散熱器設計,同時2.7mm爬電距離和2.0
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IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望
- 2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列,可支持1700 V IGBT
- 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT,通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器,以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
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【E課堂】IGBT淺析,IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
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提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國芯”
- 半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大,在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應用市場廣闊,而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口,以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn),提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 IGBT應用領(lǐng)域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),都有它的身影。 不過當前全球IGBT市場,仍被日、歐、美等IDM
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“e星球”領(lǐng)先展商 系列報導——Alpha and Omega
- Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產(chǎn)品線,包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理,工藝技術(shù),電路設計及封裝設計上擁有豐富的經(jīng)驗。通過將這些經(jīng)驗整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化,AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設計的目標是滿足日益增長的高產(chǎn)量,高效能產(chǎn)品的應用需求,包括手提電腦、平板電視、
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