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IGBT的特點、應用及未來的研究方向
- 近年來，IGBT被廣泛關注，隨著技術的發(fā)展，其應用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)IGBT，在很多領域應用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓
- 關鍵字： IGBT
IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?！ ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?！ 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關鍵字： IGBT，MOSFET
五大領域齊發(fā)力 三菱電機創(chuàng)新產品持續(xù)搶占市場新高地
- 隨著功率半導體的不斷發(fā)展和技術進步，功率器件下游產業(yè)的穩(wěn)步擴張，未來在政策資金支持以及國內新能源汽車的蓬勃發(fā)展下，國內功率半導體產業(yè)將迎來黃金發(fā)展期?！ ?月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業(yè)，同時也是現代功率半導體器件的開拓者，大中國區(qū)三菱電機半導體攜多款功率器件產品及相關解決方案亮相，同時發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產成本，并擁有全面保護功能的表面貼裝型IPM，以及助力新能源發(fā)電應用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產品?！ ?圖一：2018
- 關鍵字： 三菱電機 IGBT
發(fā)力新能源汽車市場 華虹宏力榮膺功率半導體十佳企業(yè)
- 《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確表示國家將大力發(fā)展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇”在北京舉行，旨在把行業(yè)最優(yōu)的核心器件推廣至新能源汽車應用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產技術的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領域有口皆碑，始終以深厚的技術底蘊和卓越的性能品質深受客戶認可，會上被授予“新能源汽車功率半導體十佳企業(yè)”?！ ?/li>
- 關鍵字： 華虹宏力 IGBT
超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領先的低損耗特性
- 英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現代IGBT應用而設計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能力，關斷速度可達5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎。該二極管的典型應用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅動設備，這些應用的特點是對功率損耗的要求很高?！ 〔捎眯滦蚉rime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領先的低導通損耗。這是通過單硅芯片設計實現的，與多芯片二極管相比，其
- 關鍵字： 英飛凌，IGBT
青銅劍科技獲得中車時代投資的戰(zhàn)略投資
- 2018年5月17日，中國中車旗下中車時代投資與青銅劍科技在湖南株洲簽署了戰(zhàn)略投資協(xié)議。 中車時代投資董事長王鵬博士、副總經理潘藝、投資管理部部長陽燦與青銅劍科技董事長汪之涵博士、研發(fā)總監(jiān)黃輝、營銷總監(jiān)陳恒星出席了簽約儀式?！ 『霌P中國制造，鑄就民族品牌，堅持自主創(chuàng)新是中國中車和青銅劍科技的共同話題和重要紐帶。此次戰(zhàn)略投資的達成，表明了中國中車對青銅劍科技在電力電子核心芯片與器件領域創(chuàng)新能力的認可?！ ≈袊熊囀侨蛞?guī)模領先、品種齊全、技術一流的軌道交通裝備供應商，具有強大的技術研發(fā)能力和科技創(chuàng)新能
- 關鍵字： 青銅劍科技 軌道交通 IGBT 電力電子 新能源汽車
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