igbt-ipm 文章 進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
- 關(guān)鍵字: 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查:生產(chǎn)線可稱老古董
- 這是一個(gè)結(jié)果尚不明朗的賭注,巴菲特和王傳福站在一邊,巴菲特已經(jīng)賭贏了,但是王傳福暫時(shí)還沒有。 初冬的傍晚天黑得早,寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時(shí)行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣,公司墻上貼滿了新員工的名字,由于人數(shù)眾多,許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門,投入茫茫夜色,這里有許多來自深圳的年輕工程師,他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個(gè)寒冷冬天。 這些員工身上,承載著王傳福的野心和夢想。“
- 關(guān)鍵字: 比亞迪 IGBT
功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔ⅲβ势骷t根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
IR 推出采用焊前金屬的汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。 AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù),大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外,這款新器件的焊前金屬可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻,提高了散熱性能,
- 關(guān)鍵字: IR IGBT 逆變器
晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: 靜止變頻技術(shù) 功率器件 晶閘管 IGBT
中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。 為滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求,打破國外公司的市場壟斷,推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底啟動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè),歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米,部分凈化級(jí)別達(dá)到了100級(jí),由于產(chǎn)品對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管
中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來,高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷,該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件,被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”,廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來,國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口,價(jià)格昂貴,嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶閘管 IGBT
TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: TMS32OF2812 DSP DIP-IPM 通用電路
基于雙IGBT的斬波式串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)的研究
- 從普通串級(jí)調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
- 關(guān)鍵字: IGBT 斬波 串級(jí)調(diào)速 系統(tǒng)
英飛凌再度稱雄功率電子市場
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱,2008年,此類器件的全球市場增長了1.5%,增至139.6億美元(2007年為137.6億美元),而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?,F(xiàn)在,英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額,其最接近的競爭對(duì)手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲,英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭,分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 隨著汽車、消費(fèi)和工
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT MOSFET
TMS320F2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: DSP DIP-IPM SPWM 變頻調(diào)速
IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
- 關(guān)鍵字: 絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用 保護(hù)
本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀
- 經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子:技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司,你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè),一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國內(nèi)空白,告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。 剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇,但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二:一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國際一流技術(shù);二是擁有
- 關(guān)鍵字: 變頻開關(guān) IGBT
igbt-ipm介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt-ipm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)igbt-ipm的理解,并與今后在此搜索igbt-ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)igbt-ipm的理解,并與今后在此搜索igbt-ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473