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高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要:文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 仿真 電路 驅(qū)動(dòng) 條件 IGBT 高頻
基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求,設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ,射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 可靠性 IGBT 基于
華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)成功
- 華潤微電子有限公司(后簡稱“華潤微電子”)宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場。 華潤上華開發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ,以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國際大廠相當(dāng),該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國內(nèi)權(quán)威的
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基于數(shù)字信號(hào)處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)
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- 摘要:隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長期工作的可靠性。同時(shí),低壓供電數(shù)字信號(hào)
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IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算
- 中心議題:?柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性?如何測量和確定柵極電荷?驅(qū)動(dòng)器輸出功率和柵...
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科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測試項(xiàng)目投產(chǎn)
- 科達(dá)半導(dǎo)體封裝測試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行。 科達(dá)半導(dǎo)體封裝測試項(xiàng)目于2010年6月開工建設(shè),從投資建設(shè)到正式投產(chǎn),僅用了6個(gè)月的時(shí)間,創(chuàng)造了國內(nèi)封裝測試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國際最新型設(shè)備150余臺(tái)套,主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測試,年可生產(chǎn)各類器件3.1億只,年產(chǎn)值3億元以上。封裝測試項(xiàng)目的成功投產(chǎn),將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競爭能力。
- 關(guān)鍵字: 科達(dá)半導(dǎo)體 IGBT
英飛凌中國全新子公司開業(yè)
- 英飛凌科技股份有限公司今日宣布其位于中國北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開業(yè)。新公司注冊(cè)資本1,500萬美元,將進(jìn)一步加強(qiáng)公司對(duì)高能效、移動(dòng)性和安全性的關(guān)注,體現(xiàn)了英飛凌對(duì)中國市場的長期承諾。 新公司不僅具備銷售、市場、應(yīng)用研發(fā)及輔助職能,還設(shè)有一座1,500平方米的制造工廠,專門從事IGBT組件的生產(chǎn)。未來三年,新公司的員工數(shù)目預(yù)計(jì)將超過100人。 英飛凌科技股份有限公司首席執(zhí)行官Peter Bauer先生表示:“亞
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