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          IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護

          • IGBT綜述
            1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
            IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
          • 關(guān)鍵字: IGBT  600  系統(tǒng)  逆變器    

          基于EXB841的IGBT驅(qū)動和保護電路研究

          • 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
          • 關(guān)鍵字: 電路  研究  保護  驅(qū)動  EXB841  IGBT  基于  電源  

          新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

          • 在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米(當前模塊的標準尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機械
          • 關(guān)鍵字: IGBT  性能    

          大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)

          • 摘要:本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū),解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進行保護,從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞:IGB
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  保護  IGBT  逆變電源  大功率  電源  

          IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算

          • 摘要:絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件,驅(qū)動器的合理設(shè)計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮,介紹了一些計算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。 敘詞:IGBT,驅(qū)動
          • 關(guān)鍵字: 計算  性能  輸出  驅(qū)動器  IGBT  

          基于IPM的三相無刷直流電機控制系統(tǒng)的設(shè)計

          • O 引言
            無刷直流電機因其體積小,重量輕,維護方便,高效節(jié)能等一系列優(yōu)點,被廣泛用于各個領(lǐng)域。尤其隨著高性能的單片機和專門用途的DSP(Digital Signal Processor)微處理器和集IGBT模塊及其驅(qū)動和保護于一身的
          • 關(guān)鍵字: IPM  無刷直流電動機  智能功率模塊  DSP  驅(qū)動  放大器  BLDC  

          英飛凌與LS合組新公司,聚焦白家電電源模塊

          •   新聞事件:   韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd   事件影響:   將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場   LS預(yù)計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊   韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd,將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。   合
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術(shù)  SOI  

          功率半導(dǎo)體:節(jié)能應(yīng)用顯身手中國市場現(xiàn)商機

          •   6月4日,為期3天的“PCIM China 2009”展會在上海光大會展中心落下帷幕。在展會期間,國內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會觀眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時,參展企業(yè)也紛紛表示對中國功率半導(dǎo)體的市場前景充滿信心。   新產(chǎn)品亮相PCIM展   一年一度的PCIM展是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的盛會,同時也是業(yè)內(nèi)企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺。在今年的展會上,英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊,該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中,通常要在I
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  DIPIPM    

          混合動力是新能源汽車切入點 IGBT成驅(qū)動核心

          •   目前,混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外,混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。   節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視,在最近的國際汽車展上,多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車,這預(yù)示著新能源汽車即將進入真正的商用階段。如今,中國對于新能源汽車的推廣也進入了一個關(guān)鍵時期,今年2月,財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知》,推廣節(jié)能與
          • 關(guān)鍵字: 新能源  IGBT  F-RAM  混合動力  

          英飛凌推出Smart系列IGBT模塊

          •   在2009年紐倫堡PCIM展會上,英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動壓接裝配工藝,僅需一個螺釘通過單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過提供高可靠性壓接技術(shù),英飛凌滿足了功率高達55 kW逆變器的設(shè)計要求。Smart模塊能夠優(yōu)化功率變換器的解決方案,應(yīng)用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備、太陽能逆變器及空調(diào)系統(tǒng)中。   安全、簡單的自動壓接裝配   壓接工藝結(jié)合自動裝配技術(shù)的革命性創(chuàng)新簡化了
          • 關(guān)鍵字: infineon  IGBT  壓接  

          使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

          • 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
          • 關(guān)鍵字: IGBT  柵極電阻  開關(guān)    

          飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列,讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應(yīng)用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT,如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比,它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA),容許設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: Fairchild  柵極驅(qū)動器  MOSFET  IGBT  

          電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

          • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度,中國電源管理半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后,正不斷放緩步伐,特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是,隨著國家政策刺激拉動整機設(shè)備制造保持增長,今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長,預(yù)計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
          • 關(guān)鍵字: 電源管理  節(jié)能  IGBT  MOSFET  數(shù)字電源  穩(wěn)壓器  200903  

          高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量

          • 許多電子設(shè)計應(yīng)用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力,包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用,如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs,氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器,以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法,然后討論了典型應(yīng)用,說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
          • 關(guān)鍵字: 泰克  MOSFET  IGBT  200903  

          CPLD在IGBT驅(qū)動設(shè)計中的應(yīng)用

          • 隨著國民經(jīng)濟的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷,已成為一個嚴肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。

            在某型號大功率變頻調(diào)速裝置中,由于裝置的尺寸較大,考慮到結(jié)構(gòu)
          • 關(guān)鍵字: CPLD  IGBT  驅(qū)動設(shè)計  中的應(yīng)用    
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