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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或?qū)Ｓ密浖B9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅(qū)動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
- 關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET
InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
- 關(guān)鍵字： OBC BMS EMS MOSFET IC
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動汽車應(yīng)用
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設(shè)計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
- 關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
- 關(guān)鍵字： EV OBC MOSFET
Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間
- Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
- 關(guān)鍵字： MOSFET PoL
東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關(guān)IPD
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān)，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
- 關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動器 MOSFET IPD ECU
采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準電池供電應(yīng)用
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準電池供電應(yīng)用，包括電動工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外，
- 關(guān)鍵字： 電池 MOSFET
NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關(guān)鍵字： ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
- 關(guān)鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動汽車
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模 式
- 關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
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