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          模塊電源的散熱應對措施
          
                                                            
            
                    	
          • 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  二極管  模塊電源                          
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          基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關芯片轉換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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          • 關鍵字：
                        MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC                          
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          Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實現(xiàn)超高速切換
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內部設計、開發(fā)和生產(chǎn)的
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          • 關鍵字：
                        Littelfuse  MOSFET                          
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          采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動電路
          
                                                            
            
                    	
          • 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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          • 關鍵字：
                        mosfet  驅動電路                          
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          功率mos管工作原理與幾種常見驅動電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • 功率mos管工作原理與幾種常見驅動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
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          • 關鍵字：
                        驅動電路  mosfet  電路圖                          
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          利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡
          
                                                            
            
                    	
          • 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡-假設須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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          • 關鍵字：
                        模擬電路  MOSFET                          
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          MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在
          
                                                            
            
                    	
          • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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          • 關鍵字：
                        mosfet  linear                          
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          在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要　　本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大。　　前言　　市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  SiC                          
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          什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？
          
                                                            
            
                    	
          • 什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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          • 關鍵字：
                        整流器  mosfet  二極管                          
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          用GaN重新考慮功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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          • 關鍵字：
                        mosfet  氮化鎵  pfc                          
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          一篇文章讀懂超級結MOSFET的優(yōu)勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　平面式高壓MOSFET的結構
　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
　　

　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  超級結                          
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          智能電網(wǎng)端口保護：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的。　　那些明星元件　　先來細數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
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          • 關鍵字：
                        智能電網(wǎng)  MOSFET                          
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          1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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          • 關鍵字：
                        電源轉換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707                          
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          電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化
          
                                                            
            
                    	
          •  全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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          • 關鍵字：
                        電源模塊性能  PCB布局技術  MOSFET                          
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          三極管和MOS管做開關用時的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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          • 關鍵字：
                        三極管  MOSFET                          
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