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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

　　電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。　　我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)?！　∫弧⑹裁词前踩ぷ鲄^(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動(dòng)，DCMB的控制方式，沒(méi)有二極管反向恢復(fù)，開(kāi)關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
關(guān)鍵字： MOSFET 可控硅調(diào)光 LED燈絲燈

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時(shí)的功率損耗。
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極屏蔽快捷半導(dǎo)體

為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路

為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路-反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動(dòng)期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員也必須忍受反向極性保護(hù)出現(xiàn)時(shí)的功率損耗。
關(guān)鍵字：汽車電池反向極性保護(hù) 二極管 MOSFET

有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變

有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過(guò)了漫漫長(zhǎng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲(chǔ)器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時(shí)候都多的組件。
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路

模塊電源的散熱應(yīng)對(duì)措施

模塊電源的散熱應(yīng)對(duì)措施- 本篇文章以實(shí)例為基準(zhǔn)，分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒(méi)有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管模塊電源

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開(kāi)關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ)，各取所長(zhǎng)才能共建一個(gè)良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時(shí)開(kāi)啟它們的共贏之路。
關(guān)鍵字： MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超高速切換

　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的
關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET

利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級(jí)偏置電流網(wǎng)絡(luò)

利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級(jí)偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要針對(duì)不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實(shí)施即可，電流沉整個(gè)反饋部分的重復(fù)進(jìn)行卻使成本與設(shè)計(jì)空間密集化。
關(guān)鍵字：模擬電路 MOSFET

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào)，利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個(gè)與輸入信號(hào)反相，且高電平高于VDD的方波信號(hào)。具體工作原理如下：
關(guān)鍵字： mosfet 驅(qū)動(dòng)電路

功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖

功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)電路 mosfet 電路圖

MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問(wèn)題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開(kāi)關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對(duì)負(fù)載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。
關(guān)鍵字： mosfet linear

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大?！　∏把浴　∈袌?chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。　　寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
關(guān)鍵字： MOSFET SiC

用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
關(guān)鍵字： mosfet 氮化鎵 pfc

什么是同步整流器？開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

什么是同步整流器？開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
關(guān)鍵字：整流器 mosfet 二極管