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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進(jìn)行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅(qū)動電路，進(jìn)行簡要分析。 有隔離變壓器的互補驅(qū)動電路作為一種比較常見的驅(qū)動電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
- 功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時的重點方向。如果設(shè)計得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設(shè)計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！ ∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設(shè)計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動能力強，為防
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Diodes 40V車用MOSFET適用于電機控制應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應(yīng)用，包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求，
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能?！ 《㈤_關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
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【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設(shè)計人員，你還會有一定的預(yù)算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進(jìn)行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)
- 最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設(shè)計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。 熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負(fù)載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設(shè)備免受過應(yīng)力損害。圖 1 所示
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值
- 今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！ ±纾蠖鄶?shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場效應(yīng)管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗
- 本文總結(jié)了場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器
- 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動能力較差，設(shè)計驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計簡單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小，輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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意法半導(dǎo)體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。 400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
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