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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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jfet-mosfet 文章進(jìn)入jfet-mosfet技術(shù)社區(qū)

[組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場(chǎng)合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時(shí)）：0 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 功放

Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿載效率。
關(guān)鍵字： Diodes 控制器 MOSFET

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無(wú)緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
關(guān)鍵字：二維數(shù)值模擬能力 SEB MOSFET 功率

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒(méi)有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
關(guān)鍵字： MOSFET 醫(yī)療設(shè)計(jì) 可靠性性能

羅姆推出高耐壓功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
關(guān)鍵字：羅姆電阻 MOSFET

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
關(guān)鍵字：瑞薩電子 MOSFET μPA2812T1L

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱(chēng)電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱(chēng)電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 120 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
關(guān)鍵字：解析能量雪崩 UIS MOSFET

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
關(guān)鍵字：考量設(shè)計(jì) MOSFET 功率

MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
關(guān)鍵字： MOSFET 電容

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
關(guān)鍵字：熱模型 MOSFET PSPICE

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體英飛凌科技 MOSFET

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