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          Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
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          理解功率 MOSFET 的電流

          • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對于許多電子工程師來說,他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
          • 關(guān)鍵字: 電流  MOSFET  功率  理解  

          國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應(yīng)用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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          集成高壓MOSFET可實現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

          • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款 ...
          • 關(guān)鍵字: 集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片  

          新型MOSFET滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能

          • 現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”,這兩個領(lǐng)域都注重環(huán)保理念,需要進行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  高速開關(guān)  

          Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%,而導(dǎo)通電阻則與之相當甚至更低。
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          估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

          • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  瞬態(tài)溫升  

          Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù),具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。    ?   與前一代S系列器件相比,新的
          • 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix  MOSFET  

          滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET

          • 近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設(shè)計中采用...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  

          Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

          • 2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動器

          • 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時,會改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  繼電器  驅(qū)動器  

          基于TLE6210和L9349設(shè)計的ABS驅(qū)動電路

          • ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備,其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對...
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動電路  ABSTLE6210  MOSFET  

          兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

          • 由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示),驅(qū)動電路工作原理如下:  A.當HS為高電平時,Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計  驅(qū)動  MOSFET  常見  

          安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

          • Sept. 21, 2011 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設(shè)計而擴充其產(chǎn)品系列。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  半導(dǎo)體  MOSFET  

          Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

          • 美國加利福尼亞州圣何塞,2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC,新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計靈活性,既可提升效率(最高效率可超過97%),又可縮小尺寸,即利用高頻工作(最高達750 kHz)來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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