jfet-mosfet 文章 進(jìn)入jfet-mosfet技術(shù)社區(qū)
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。 安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規(guī)范特性包括：
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器的HB (高亮度) LED設(shè)計(jì)提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅(qū)動(dòng)器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并將地電位作為輸出電壓的參考點(diǎn)，從而使設(shè)計(jì)人員避免了采用SEPIC結(jié)構(gòu)帶來的成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度。 MAX15054可提供2A驅(qū)動(dòng)電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時(shí)和較短的上升、下降時(shí)間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
- 關(guān)鍵字： Maxim 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET MAX15054
Linear 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)高端和低端 MOSFET 柵極，以高達(dá) 38V 的電源電壓工作。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449
RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎(jiǎng)的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。 對(duì)于應(yīng)用二極管整流的48V開關(guān)電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
TI 推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET
晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報(bào)響
- 臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場(chǎng)明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對(duì)臺(tái)系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻(xiàn)。 臺(tái)系MOSFET供應(yīng)商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動(dòng)作明顯落后其它業(yè)者，未來3個(gè)月可
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 電源管理 MOSFET
TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請(qǐng)撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用
- 下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用 原理 電路 驅(qū)動(dòng)
jfet-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條jfet-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
jfet-mosfet電路
jfet-mosfet相關(guān)帖子
jfet-mosfet資料下載
jfet-mosfet專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473