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          半橋拓撲結構高端MOSFET驅動方案選擇：變壓器還是硅芯片？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關反激、雙開關正激和全橋等硬開關技術相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關技術能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關技術越來越受設計人員青睞。
　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅動器，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動器。高端表示M
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  變壓器  硅芯片                          
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          RS推出1200種三洋半導體產品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　國際著名電子、電機和工業(yè)產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
　　此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
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          • 關鍵字：
                        RS  MOSFET  IGBT                          
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          IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。

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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET  HEXFET                          
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          PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉換IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產品系列共由16款高度集成的功率轉換IC組成，其內部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統(tǒng)散熱管理的復雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統(tǒng)的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規(guī)范約束的產品應用。

　
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          • 關鍵字：
                        PI  功率轉換IC  TOPSwitch-JX  MOSFET                          
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           基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1　引言

            　　隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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          • 關鍵字：
                        芯片  功能  應用  驅動  MOSFET  UCC27321  高速  基于                          
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          飛兆半導體微型以封裝高效產品應對DC-DC設計挑戰(zhàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列，可應對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設計挑戰(zhàn)。

　　FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導損耗更比其它外形尺寸相同
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          • 關鍵字：
                        Fairchild  MOSFET  電源                          
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          飛兆半導體在IIC China展會上展示功率技術和移動技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上，展示其最新的功率技術和移動技術。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺，以及3月15至16日于上海世貿商城四樓8H01展臺。
　　智能移動解決方案：
　　飛兆半導體將展示其豐富的模擬技術產品系列，以及相關的定制解決方案和系統(tǒng)級專有技術，這些產品及方案在解決移動領域之設計和應用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導體的業(yè)界最小的USB附件開關FSA800將所有主
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          • 關鍵字：
                        飛兆  功率  智能移動  MOSFET                          
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          馬達設計中提升更高的效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　中心議題：
　　馬達的結構
　　提升馬達工作的效率
　　解決方案：
　　正弦脈沖調制控制方式
　　智能功率模塊
　　近些年來，家用電器對節(jié)能的要求變得越來越強烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達主要在低速運轉，就有非常大的節(jié)能潛力，通過在低速驅動器中簡單改進馬達的驅動效率就能實現(xiàn)。
　　同樣，據(jù)估計工業(yè)用電的65%被電驅動馬達所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關鍵。在電驅動馬達中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
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          • 關鍵字：
                        工業(yè)電子  馬達  MOSFET                          
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          英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。
　　通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS                          
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          開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃
          
                                                            
            
                    	
          •  功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經(jīng)成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
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          • 關鍵字：
                        技術  薈萃  驅動  MOSFET  功率  開關電源  電源                          
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          CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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          • 關鍵字：
                        CISSOID  MOSFET  晶體管                          
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          安森美半導體推出高壓MOSFET系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
　　這些新的500 V和60
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  功率開關                          
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          NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。
　　LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
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          • 關鍵字：
                        NXP  晶體管  MOSFET                          
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          NexFETTM：新一代功率 MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 1對于理想開關的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導通電阻 
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          • 關鍵字：
                        NexFETTM  MOSFET                            
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           利用智能MOSFET驅動器提升數(shù)字控制電源性能
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 　　UC
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  驅動器  數(shù)字控制電源  性能                            
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