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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專(zhuān)利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專(zhuān)利。　　通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。　　英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請(qǐng)撤訴。　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用

　下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用原理電路驅(qū)動(dòng)

IGBT核心技術(shù)及人才缺失工藝技術(shù)缺乏

　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
關(guān)鍵字：器件 IGBT 封裝測(cè)試 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究

近年來(lái)隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會(huì)
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安森美推出符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù)，以及用于過(guò)壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。　　安森美半導(dǎo)體汽車(chē)
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC

德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級(jí)完美結(jié)合，可通過(guò)其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。　　OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢(shì) 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時(shí)間域和脈沖型應(yīng)用的信號(hào)完整性：　　　　o OPA653 是一款具有 2675
關(guān)鍵字： TI 運(yùn)算放大器 JFET

利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來(lái)選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)器周?chē)枰男┭a(bǔ)償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
關(guān)鍵字： Fairchild 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 開(kāi)關(guān)電源柵極驅(qū)動(dòng)器 200912

D類(lèi)MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

O 引言
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中，利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而提高整機(jī)效
關(guān)鍵字：應(yīng)用功放射頻發(fā)射機(jī) MOSFT MOSFET 開(kāi)關(guān)特性射頻功放調(diào)幅發(fā)射機(jī)

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

　　市場(chǎng)需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長(zhǎng)空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專(zhuān)注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開(kāi)始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國(guó)，由于政府刺激消費(fèi)電子市場(chǎng)，中國(guó)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開(kāi)始復(fù)蘇。從長(zhǎng)期來(lái)看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
關(guān)鍵字：功率器件 MOSFET

針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類(lèi)繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇正確驅(qū)動(dòng)器

Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET

　　Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶(hù)線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對(duì)變壓器中初級(jí)開(kāi)關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。　　兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護(hù)電
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)制通過(guò)柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
關(guān)鍵字：研究模型噪聲電流 MOSFET

功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒中國(guó)企業(yè)加快步伐

　　過(guò)去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來(lái)越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)