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中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權
- 今年下半年,隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段,中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖,但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響?! 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張,以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調(diào)查,中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注。 目前,中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?! 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
- 關鍵字: NAND DRAM
美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)宣布,中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司,針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件,該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟,實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?! ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃臁N
- 關鍵字: 美光科技 DRAM NAND
重拳!美芯片巨頭在華遭禁售
- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決,但似乎暗示美光確實存在侵權行為。而這是中國發(fā)展半導體一路被指稱“竊密”和“侵權”以來,首次成功重拳回擊。
- 關鍵字: 芯片,美光,DRAM
傳三星、SK海力士18nm DRAM出現(xiàn)良率問題,市場價格增添變量
- 受惠于市場需求強力推升,服務器存儲器供應持續(xù)吃緊,近來市場傳出,存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題,應用于高階服務器產(chǎn)品遭到退貨,包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調(diào),但多家臺灣地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息,業(yè)界預計最快1~2個月左右應可改善良率,但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升,如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應求,將為下半年市場價格漲幅投下變量?! 「鶕?jù)市場消息傳出,三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質量疑慮,并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨,且在改善
- 關鍵字: SK海力士 DRAM
DRAM漲價驅動,全球服務器銷額增33%、高于銷量升幅
- Gartner 6月11日公布,2018年第1季全球服務器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%?! artner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出,服務器市場是由超大規(guī)模(Hyperscale)數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)與中型數(shù)據(jù)中心支出攀高所驅動。他還提到,服務器第1季銷售均價上揚的原因之一是DRAM價格因供給吃緊而走高?! artner統(tǒng)計顯示,2018年第1季北美服務器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%,亞太分別成長47.8%、21.9%,歐洲、中東與非洲(EM
- 關鍵字: DRAM
中國存儲芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時間
- 受中美競爭特別是中興事件的影響,國內(nèi)對芯片的重視程度被進一步拔高,而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲芯片企業(yè)有機會打破當前由美日韓企業(yè)壟斷的局面,不過要打破這一局面還需要時間?! ∶廊枕n壟斷存儲芯片市場 存儲芯片主要分為兩種,分別是DRAM和NAND flash,在我們?nèi)粘R姷降漠a(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤,這兩類產(chǎn)品在各個行業(yè)都有廣泛的應用,而且隨著各個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯,這也導致存儲芯片價格自2016年
- 關鍵字: 芯片,DRAM
無錫SK海力士工廠突發(fā)火災,DRAM又要漲價了?
- SK海力士在無錫可謂多災多難。2008年曾經(jīng)停電4個小時,2013年又發(fā)生重大火災,都有大量晶圓報廢,對全球DRAM內(nèi)存、NAND閃存供應造成重大影響。
- 關鍵字: SK海力士,DRAM
DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(2408)日前表示,今年DRAM市場仍供不應求,帶動存儲器族群行情向上,旺宏(2337)在權證市場同受關注,昨(29)日登上成交金額之首?! ∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑,小跌0.4%,收在98.9元(新臺幣,后同),但獲外資逆勢敲進逾2,000張,頗有逢低承接意味?! ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元,隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求,對今年整體營運表
- 關鍵字: DRAM NAND
這一廣泛使用的器件中國技術不差,差距在于產(chǎn)業(yè)化
- 特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場,但這幾個月,人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板,中國大量進口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認為,由于中國IGBT需要大量進口,而這個產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持,對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個潛在的威脅。不過,在IGBT技術上,中國其實并不差,大量依賴進口,并非技術水平不行?! ≡斐纱罅窟M口國外產(chǎn)品的局面,只是因為商業(yè)上和其他一些原因?! GBT市場基本被外商壟斷 IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就
- 關鍵字: IGBT DRAM
韓、臺存儲器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期
- 長期以來,我國的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進口來解決,市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。 以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示,三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%,閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29%,閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業(yè),就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額,這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場份額之和達到了95%。 毫無疑問,現(xiàn)在存儲市場話語權仍被這幾
- 關鍵字: 存儲器 DRAM
DRAM行業(yè)深度報告:期待國產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變?nèi)蚬┙o格局
- 存儲器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%,首次超越邏輯電路,成為半導體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位,合計市占率超過95%,國產(chǎn)廠商開始積極布局,2018年將實現(xiàn)量產(chǎn),有望逐步改變當前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費產(chǎn)品中,移動終端、服務器和PC依舊占據(jù)頭三名,合計占比86%,未來將繼續(xù)拉動DRAM消費增長。 三星領先優(yōu)勢明顯,傳統(tǒng)技術難以替代。三星于2017年開始量產(chǎn)第二
- 關鍵字: DRAM 三星
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