- 2017年，整體內存產業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產業(yè)由悲轉喜。
DRAM無新增產能
首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產能，頂多就
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DRAM NAND
- 南亞科總經理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價格持續(xù)看漲，但漲幅會收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實際增產內容才能做明確分析。 目前來看，韓國二大廠都表明將依市場需求增產，分析DRAM產業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。
李培瑛表示，服務器和標準型DRAM今年市場需求持續(xù)強勁，南亞科內部預估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對服務器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運來臨，刺激電視與機頂盒等需求，帶動利基型D
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南亞科 DRAM
- 武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處，一個被稱為“黃金大道”的T字形結構的芯屏組合的產業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號工程”正是在中國存儲器產業(yè)已掀起“巨浪”的長江存儲科技責任有限公司(以下簡稱“長江存儲”)。
2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長江存儲的一期工廠已經竣工，已然組建的研發(fā)團隊正在東湖高新區(qū)(以下簡稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進研發(fā)工作
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集成電路 DRAM
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
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SRAM DRAM
- 研調機構IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經驗來看，DRAM產業(yè)在不久的將來，可能經歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產能增加，今年價格將開始下滑，跌勢更恐達2年之久。
回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動服務器DRAM明顯升溫，同時智能手機與其他移動裝置產品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價格報價一路上揚
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DRAM
- 缺貨漲價固然有產能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
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DRAM 三星
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。
DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業(yè)內最大的單一產品類別，產值高
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三星 DRAM
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。
DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業(yè)內最大的單一產品類別，產值高
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DRAM DDR4
- DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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NAND DRAM
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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DRAM NAND
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。
近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團成員有LamResearch的首席技術官RickGottscho、GlobalFoundries先進模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
- 根據(jù)三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導體業(yè)務起著舉足輕重的作用。
昨日半導體產業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產品。”
三星在聲明中稱，這是全球第一個第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運算中心、移動設備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設備。
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三星 DRAM
- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗又降低了 1
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三星 DRAM
- DRAM 內存市場近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。 而另一家內存大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。 除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。
事實上，當前的第 4 季是傳統(tǒng)
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DRAM DDR4
- 今年內存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚，研調機構IC Insights預期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。
據(jù)IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。
全年來看，DRAM市場預估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點，也是繼1994年成長78%以來最強成長動能。
許多因素造就今年內存走大多頭，當中包含近幾年主要內存廠刻意節(jié)制擴產動作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設備對高效能內存的需求大
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DRAM
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