<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> lpddr5x dram

          全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)

          • 12月22日消息,據(jù)報(bào)道,Adroit Market Research預(yù)計(jì),全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng),到2032年將達(dá)到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示,半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下,到2028年,該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  半導(dǎo)體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

          DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

          • IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DRAM  NAND Flash  

          集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%

          • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確,帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求,以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫(kù)存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DRAM  NAND Flash  

          DRAM掀起新一輪熱潮,封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

          • 處理器,無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA,還是 NPU,要想正常運(yùn)行,都離不開(kāi) RAM,特別是 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)(PC,手機(jī),數(shù)據(jù)中心等)中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同,系統(tǒng)對(duì)芯片面積和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)、LPDDR、GDDR 等,當(dāng)然,主要就是這三類。其中,DDR 是相對(duì)于 SDR(單數(shù)據(jù)速率)而言的,將 I/O 時(shí)鐘加倍了,主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù),目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
          • 關(guān)鍵字: DRAM  封裝技術(shù)  HBM  

          DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

          • 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 18%

          • IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營(yíng)收 134.8 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動(dòng)能,讓各原廠營(yíng)收皆有所增長(zhǎng)。展望今年第 4 季度,供給方面,原廠漲價(jià)態(tài)度明確,預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%;需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季,整體而言,DRAM 行業(yè)出貨增長(zhǎng)幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌,三大原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  

          消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%

          • 11 月 28 日消息,上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下,SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%,是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來(lái)看,DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士,也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示,SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%;三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  海力士  

          三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元,連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)

          • 11 月 30 日消息,據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年開(kāi)始,受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響,全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑,三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下,DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升,銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示,在今年三季度,全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%,在一季度的 93.7 億美元之后,已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng),也就意味著主要廠商的銷售額,環(huán)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  三星  海力士  

          AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達(dá)到有史以來(lái)最高水平

          • 據(jù)外媒報(bào)道,在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火,谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后,外媒就預(yù)計(jì)對(duì)AI服務(wù)器的需求將大幅增加,高性能GPU、高帶寬存儲(chǔ)器的需求也將隨之增加,半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商,將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示,存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益,他們?nèi)径仍谌駾RAM市場(chǎng)的份額達(dá)到了35%,占據(jù)了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái),在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
          • 關(guān)鍵字: AI  SK海力士  DRAM  

          存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻:DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代

          • IT之家?11 月 24 日消息,由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估,2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%,上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM:根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道,2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  NAND  

          美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

          • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存,具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能,可支持當(dāng)前及未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用,例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)?(IMDB)?以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景,滿足它們對(duì)
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  128GB  RDIMM內(nèi)存  

          芯片設(shè)計(jì)中,DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜

          • 選擇越多,選擇越難。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

          • NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈,DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升,內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn),帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào),內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看,第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商,則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  ?NAND Flash  DRAM  

          2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

          • 在本次展會(huì)上,東芯半導(dǎo)體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過(guò)東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總,這次在2023年慕尼黑華南電子展上,陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來(lái)了全線的產(chǎn)品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
          • 關(guān)鍵字: 東芯半導(dǎo)體  NAND  NOR  DRAM  存儲(chǔ)  

          預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因,供應(yīng)方面:三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate
          • 關(guān)鍵字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  
          共1835條 4/123 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

          lpddr5x dram介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹(shù)莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();