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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

          三星開始量產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片

          •   全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          日本震后 DRAM現(xiàn)貨價轉(zhuǎn)趨觀望

          •   日本地震后2天期間,曾出現(xiàn)上升走勢的DRAM現(xiàn)貨價格已轉(zhuǎn)趨觀望,由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重,依照恢復(fù)的情況,IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會不同,因而市場上再度回到觀望的氣氛。   日前南韓各大廠紛紛預(yù)測DRAM價格將于2011年第1季觸底,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商,可能會提高每個月進(jìn)行2次調(diào)整的部分合約價格。   在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價格又再度來到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出,最近DRAM主要產(chǎn)品DD
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          集邦:3月下旬DRAM合約價漲3%

          •   集邦科技旗下DRAMeXchange認(rèn)為,在日本強(qiáng)震打亂供應(yīng)鏈,且電腦制造商即將為歐美返校需求備料下,3月下旬DRAM芯片合約價漲幅逾3%,預(yù)期漲勢將延續(xù)至4月。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          日本地震矽晶圓對DRAM廠影響

          •   過去矽晶圓供給雖然偶有傳出吃緊聲浪,但從未像這次日本311強(qiáng)震把全球2大矽晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO都震出問題,甚至影響全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 矽晶圓  DRAM  

          海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

          •   全球第二大計算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱,它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。   海力士在聲明中稱,通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù),海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          分析稱DRAM內(nèi)存芯片下半年將供貨短缺

          •   投資公司Raymond James & Associates日前發(fā)布報告稱,DRAM內(nèi)存芯片市場將在下半年出現(xiàn)供貨短缺的局面。DRAM芯片市場近一段時間表現(xiàn)低迷,需求降低,價格也大幅下滑。   
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營收比重提高至5成

          •   智能型手機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM營收占日廠爾必達(dá)(Elpida)整體營收的比重可望在2010會計年度第4季(2011年1~3月)拉高至5成左右。在PC等產(chǎn)品用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價格低迷之際,提高M(jìn)obile DRAM營收比重將有助于其改善獲利情況。  
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          爾必達(dá)希望分文不花整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

          •   臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時,爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示,假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段,爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢,希望能用股權(quán)交換方式來進(jìn)行,若能集成成功,爾必達(dá)在全球市占率將可超過40%,直逼三星電子(SamsungElectronics)龍頭地位。至于臺廠龐大債權(quán)歸誰,爾必達(dá)內(nèi)部希望以債做股方式一筆勾銷,盼銀行團(tuán)能同意拿債權(quán)換股。業(yè)界對此認(rèn)為,爾必達(dá)這招頗有公開逼親意味。   爾必達(dá)這次來臺發(fā)行臺灣存托憑證(TDR),被業(yè)界視為臺、日DR
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報價

          •   日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)的臺灣存托憑證(TDR)即將于25日,以每股新臺幣21.3元掛牌,預(yù)計籌得42.6億元資金,社長坂本幸雄在24日掛牌前法說會中指出,看好3月DRAM價格可逐漸上漲,爾必達(dá)也計劃在3月初調(diào)漲DRAM報價,初步規(guī)劃2GbDDR3芯片可調(diào)升至2.3~2.5美元,對于后市DRAM市場逐漸供需平衡的趨勢相當(dāng)樂觀。  
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          爾必達(dá)稱發(fā)行臺灣存托憑證融資1.45億美元

          •   日本芯片制造商爾必達(dá)(Elpida Memory)周四宣布,已通過發(fā)行臺灣存托憑證(TDR)融資42億新臺幣(約合1.45億美元)。   爾必達(dá)總裁兼CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)稱,這筆資金將主要用于開發(fā)和生產(chǎn)20納米和30納米芯片。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          臺DRAM廠從與美日廠雙打淪為撿球員

          •   聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智表示,臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)錯過最佳的DRAM產(chǎn)業(yè)集成時間點后,未來臺系DRAM廠與國際大廠之間的關(guān)系,從過去與它們打「雙打」的角色,變成美日大廠自己「單打」,臺廠恐淪為只有撿球的份;再者,TIMC將持續(xù)投入NAND Flash產(chǎn)業(yè)的專利開發(fā),希望能建立相關(guān)IP,為臺灣在快閃產(chǎn)存儲器領(lǐng)域上拿到1張入場券。   
          • 關(guān)鍵字: TIMC  DRAM  

          DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

          •   市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          華亞科澄清制程轉(zhuǎn)換突發(fā)狀況

          •   DRAM廠制程轉(zhuǎn)換再度傳出突發(fā)狀況,華亞科近期傳出12寸晶圓廠在后段制程出現(xiàn)一批低良率瑕疵品,恐影響2、3月DRAM產(chǎn)出量,甚至可能將瑕疵品轉(zhuǎn)銷往現(xiàn)貨市場,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注。華亞科對此表示,該事件影響不大,預(yù)計第1季要給客戶數(shù)量不會減少,位元成長率(Bit Growth)亦將達(dá)到40%水平。南亞科則表示,近期的確會增加現(xiàn)貨客戶比重,主因是目前現(xiàn)貨價高于合約價,系基于策略性的考量?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 華亞科  DRAM  

          DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

          •   來自臺灣媒體的最新消息稱,市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          三星電子擬推新1GB移動DRAM

          •   三星電子宣布,計劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動DRAM,以應(yīng)用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備,將采用50納米級工藝技術(shù),傳輸速度可達(dá)12.8GB/秒。   韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布,這家先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動DRAM(dynamic random access memory),將使用50納米級工藝技術(shù)。新的寬I/O移動DRAM將被用于移動應(yīng)用設(shè)備,諸如智能手機(jī)和平板電腦?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  
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          lpddr5x dram介紹

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