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          下季DRAM和NAND Flash報(bào)價(jià)看跌

          •   美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測(cè)2011會(huì)計(jì)年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報(bào)價(jià)將持續(xù)走跌,其中DRAM價(jià)格會(huì)下跌約25%,而NANDFlash價(jià)格會(huì)下跌約10%,美光表示,將致力于制程技術(shù)微縮,以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本,因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。   
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          手機(jī)記憶芯片熱銷

          •   美國(guó)計(jì)算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會(huì)計(jì)年度第1季(迄12月2日)財(cái)報(bào),由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切,不但抵銷了個(gè)人計(jì)算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊,更讓公司連續(xù)第5個(gè)季度出現(xiàn)獲利。   
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          DRAM合約價(jià)再跌10%

          •   2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%,市場(chǎng)預(yù)期供過于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季,因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大,預(yù)計(jì)要到2011年4月之后,等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料,DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)遠(yuǎn)超預(yù)期

          •   據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì),2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元,較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

          •   2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。   
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

          •   2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。   三星電子201
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

          •   據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購(gòu)買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。   2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng),后者同期增長(zhǎng)26%。   
          • 關(guān)鍵字: 金士頓  DRAM  

          三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實(shí)現(xiàn)商用化

          •   據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片,制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品,10月時(shí)已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上,完成產(chǎn)品測(cè)試。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          爾必達(dá)與Rambus簽署新一期專利授權(quán)協(xié)議

          •   Rambus雖說是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。   此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年,爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費(fèi),首次付賬4700萬(wàn)美元。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來轉(zhuǎn)機(jī)

          •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jī)走弱,營(yíng)運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素,有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示,公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)

          •   按VLSI市場(chǎng)調(diào)研公司的最新報(bào)告,今年無(wú)論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一,由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價(jià)格下降。   同時(shí),該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測(cè),為2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)4.4%為2486億美元,以及2012年再增長(zhǎng)7.9%。VLSI之前曾預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)8%。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

          •   11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過10%,讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%,1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過7%,其實(shí)只是以補(bǔ)跌來反應(yīng)品牌顆粒的價(jià)格;然此跌價(jià)情況若再延續(xù),不排除各家DRAM廠會(huì)有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。  
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨二次崩盤潮危機(jī)

          •   全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出,使得DRAM價(jià)格再度面臨崩盤窘境,時(shí)至11月,上、下旬合約價(jià)連番重挫,且上旬跌幅高達(dá)12~13%,較上旬不到10%合約價(jià)持續(xù)擴(kuò)大。   
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下滑

          •   根據(jù)分析師和市場(chǎng)研究人員表示,個(gè)人電腦中的主要存儲(chǔ)元件DRAM的價(jià)格在2011年將會(huì)呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測(cè),2011年中期DRAM市場(chǎng)仍將供過于求,但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示, DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前,在第一季度探底。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DRAM供需待調(diào)整 

          •   南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助,市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿,預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平,隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn),以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整,預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場(chǎng)可望走向供需平衡。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  
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          lpddr5x dram介紹

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