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DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格或迎來(lái)短期上漲
- 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢(shì)依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格有望在中國(guó)十一長(zhǎng)假后迎來(lái)小幅回升。 來(lái)自交易市場(chǎng)的消息稱，在十一長(zhǎng)假結(jié)束前市場(chǎng)對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長(zhǎng)假帶來(lái)的市場(chǎng)需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。 不過(guò)inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價(jià)格反彈只能是短期行為，不會(huì)持續(xù)太長(zhǎng)。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價(jià)格，這也影響了整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的價(jià)格走
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坂本幸雄踩剎車 瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃喊停
- 個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo)，同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來(lái)協(xié)助瑞晶擴(kuò)產(chǎn)，屆時(shí)將依照投資比重來(lái)分配DRAM貨源，但傳出DRAM價(jià)格崩盤后，PC客戶早已溜之大吉，瑞晶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃只好喊卡，然爾必達(dá)廣島廠的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度仍將如期進(jìn)行。 坂本幸雄表示，PC市場(chǎng)在傳統(tǒng)旺季的需求未如預(yù)期，將連累爾必達(dá)的財(cái)報(bào)獲利受到影響，但DRAM價(jià)格其實(shí)下修幅度已大
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NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價(jià)續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價(jià)格再跌，恐會(huì)讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來(lái)要看大陸十一長(zhǎng)假后是否出現(xiàn)補(bǔ)貨需求，帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。 模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價(jià)跌幅較深，通路商補(bǔ)貨意愿不高，但在NAND Flas
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Castellano預(yù)測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境再度急轉(zhuǎn)直下
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)The InformatiON Network總裁RobertCastellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場(chǎng)即將發(fā)生庫(kù)存修正;他指出，雖然2010年將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長(zhǎng)的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測(cè)，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場(chǎng)在今年第二季還曾出現(xiàn)過(guò)135%的銷售成長(zhǎng);此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績(jī)趨緩，將會(huì)對(duì)英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負(fù)面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到?jīng)_
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
三星電子第三季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)43億美元 低于預(yù)期
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星今天發(fā)布了第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，三星營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為4.8萬(wàn)億韓元(約合43億美元)，低于分析師預(yù)期。 三星今天發(fā)表聲明稱，該公司第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)由去年同期的4.22萬(wàn)億韓元(約合37.6億美元)增長(zhǎng)14%至4.8萬(wàn)億韓元，低于分析師預(yù)期的5.03萬(wàn)億韓元。三星營(yíng)收增長(zhǎng)11%至40萬(wàn)億韓元(約合356億美元)。 分析師指出，電視銷售放緩打壓了液晶面板的價(jià)格，影響了三星液晶面板和電視業(yè)務(wù)的利潤(rùn)。摩根大通分析師賈斯廷·帕克(Justin Park)說(shuō)，由于預(yù)計(jì)第四
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內(nèi)存價(jià)格10月份將持續(xù)下調(diào)
- 據(jù)HKEPC網(wǎng)站報(bào)道，市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價(jià)持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價(jià)趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價(jià)亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價(jià)下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價(jià)亦緊貼DDR3合約價(jià)下跌， DDR2 2GB模塊合約均價(jià)約為33美元水平，跌幅約為6% 。 現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，由于廣州亞運(yùn)將于11月舉辦，大陸方
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iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售有望破記錄
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對(duì)2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè)，但是它仍預(yù)期年底的利潤(rùn)將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測(cè)顯示利潤(rùn)上升了32%，比先前預(yù)測(cè)的35.1%有所下降。這主要是由于對(duì)四季度銷售額預(yù)期的降低。 據(jù)該機(jī)構(gòu)表示說(shuō)，今年的利潤(rùn)有望比去年同期增長(zhǎng)740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測(cè)這將是半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到巔峰的一年。 產(chǎn)品利潤(rùn)預(yù)期會(huì)增長(zhǎng)43%，DRAM將會(huì)在PC市場(chǎng)有一個(gè)87%的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。同時(shí)，由于智能手機(jī)不斷增長(zhǎng)的需求，無(wú)線通信市場(chǎng)將
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
爾必達(dá)12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報(bào)道，爾必達(dá)計(jì)劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計(jì)可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報(bào)道稱呢個(gè)，爾必達(dá)已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來(lái)達(dá)成更精細(xì)制程，而無(wú)需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。 爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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甲骨文起訴美光操縱芯片價(jià)格 令Sun蒙受損失
- 甲骨文通過(guò)美國(guó)子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價(jià)格，使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價(jià)。 甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié)，人為抬高DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))芯片價(jià)格。訴訟書稱，在1998年至2002年間，Sun采購(gòu)了總價(jià)超過(guò)20億美元的DRAM芯片。 訴訟書還稱，美國(guó)司法部指控了世界頂尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已認(rèn)罪并認(rèn)罰，但美光科技因與司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以約70億美元價(jià)格收購(gòu)了Sun。 韓國(guó)芯片制造商海力士半導(dǎo)體的代理律師邁克
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣惡化 庫(kù)存修正即將發(fā)生？
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場(chǎng)即將發(fā)生庫(kù)存修正;他指出，雖然2010年將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長(zhǎng)的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測(cè)，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場(chǎng)在今年第二季還曾出現(xiàn)過(guò)135%的銷售成長(zhǎng);此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績(jī)趨緩，將會(huì)對(duì)英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負(fù)面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
- 關(guān)鍵字： Intel 半導(dǎo)體 DRAM
iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來(lái)首度出現(xiàn)正增長(zhǎng)
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來(lái)的首次正增長(zhǎng)，不過(guò)據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長(zhǎng)的局面有望在數(shù)個(gè)季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來(lái)的首次成本正增長(zhǎng)，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來(lái)越
- 關(guān)鍵字： 芯片 內(nèi)存 DRAM
DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 D
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM DDR3
三星：左打臺(tái)積電、右攻英特爾，欲稱霸全球
- 全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機(jī)后正邁入新一輪的增長(zhǎng)時(shí)期，各家市場(chǎng)分析公司幾乎都報(bào)道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長(zhǎng)，達(dá)到2900億美元。 半導(dǎo)體業(yè)步入新時(shí)期 由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點(diǎn)，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個(gè)嶄新時(shí)期。新時(shí)期最明顯的特點(diǎn)可以歸結(jié)為增長(zhǎng)趨緩，未來(lái)年均增長(zhǎng)率在6%～7%;研發(fā)費(fèi)用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級(jí)半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢(shì)可能會(huì)形成英特爾CPU，三星存儲(chǔ)器及“fabless(無(wú)生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
- 關(guān)鍵字： 三星 半導(dǎo)體 DRAM
三星35納米4Q出擊 臺(tái)DRAM廠以卵擊石
- 三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺(tái)、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺(tái)廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)亦多落在第4季，面對(duì)產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價(jià)格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價(jià)格殺至1.7美元，較同容量DDR2價(jià)格還要低。 近期DRAM合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 35納米
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