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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
來(lái)自美國(guó)硅谷的信息(下)
- 不要忽略驗(yàn)證工具 Mentor Graphics副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產(chǎn)品，版圖的寄生參數(shù)提取工具Calibre xACT 3D，Joseph稱(chēng)，以往此類(lèi)工具在提取器件的寄生參數(shù)時(shí)都是二維的，即對(duì)器件的幾何坐標(biāo)進(jìn)行標(biāo)示和記錄從而確定寄生參數(shù)，而Calibre xACT 3D則是提取單個(gè)器件以及不同器件之間的三維空間信息，這樣所得到的寄生參數(shù)當(dāng)然更精確。 八仙過(guò)海，鏖戰(zhàn)消費(fèi)電子 電子產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇已經(jīng)成為不爭(zhēng)的事實(shí)，眾廠商怎么在這第二輪增長(zhǎng)中挖到自己
- 關(guān)鍵字： Mentor USB接口 DRAM 存儲(chǔ)器 201008
舉債擴(kuò)產(chǎn) 非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道
- 過(guò)去臺(tái)灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來(lái)源包括日本、美國(guó)、南韓和德國(guó)，這幾大陣營(yíng)各自在制程技術(shù)上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù)，在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營(yíng)。 當(dāng)年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術(shù)的十字路口時(shí)，日系東芝(Toshiba)、德系西門(mén)子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術(shù)，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
韓國(guó)三星電子公司發(fā)展模式的啟迪
- 環(huán)視當(dāng)今世界電子企業(yè)巨頭，其中最被稱(chēng)道的公司有兩家：一是美國(guó)的App1e公司，一是韓國(guó)的三星電子集團(tuán)。尤其是三星電子公司特別值得中國(guó)公司學(xué)習(xí)，也的確是最應(yīng)該學(xué)習(xí)的公司。據(jù)說(shuō)，有中國(guó)公司如聯(lián)想、TCL等都曾以三星電子公司為榜樣，但愿未來(lái)在中國(guó)的土地上真能出現(xiàn)“中國(guó)的三星公司”，中國(guó)電子工業(yè)勢(shì)必將走上更快更好的發(fā)展道路。 發(fā)展簡(jiǎn)史 三星電子集團(tuán)公司成立于1938年，當(dāng)初只是一家做做干魚(yú)、蔬菜、水果等出口貿(mào)易的小公司，但發(fā)展頗快，到上世紀(jì)50年代初，便成長(zhǎng)為韓國(guó)的頭號(hào)貿(mào)易
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM TFT-LCD 201008
Hynix擬在7-9月期間擬投5.69億美金擴(kuò)充升級(jí)廠房
- Yonhap News報(bào)導(dǎo)，全球第二大記憶體制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韓國(guó)證交所的文件中宣布，該公司將投資6,770億韓元(5.69億美元)擴(kuò)充、升級(jí)現(xiàn)有的生產(chǎn)線，同時(shí)并將投入研發(fā)工作。Hynix表示，這項(xiàng)投資目的在改善成本競(jìng)爭(zhēng)力并增加產(chǎn)能，以幫助該公司提升對(duì)市場(chǎng)需求的反應(yīng)能力。Hynix并表示，這項(xiàng)投資計(jì)劃將在7-9月期間執(zhí)行。 iSuppli曾于8月9日發(fā)表研究報(bào)告指出，受到制造設(shè)備供應(yīng)量有限、制程轉(zhuǎn)換面臨挑戰(zhàn)的影響，2010年下半年DRAM供給量
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM
iSuppli：DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)
- iSuppli警告稱(chēng)，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類(lèi)芯片價(jià)格上漲。 iSuppli指出，當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類(lèi)供應(yīng)問(wèn)題：無(wú)法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備，部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。 DRAM芯片供應(yīng)緊張對(duì)全球計(jì)算機(jī)市場(chǎng)而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷(xiāo)量急劇增長(zhǎng)——第二季度同比增長(zhǎng)22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。 去年，許多DRAM芯片廠商沒(méi)有資金采購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備，今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
- 關(guān)鍵字： PC DRAM
友達(dá)與奇美電稱(chēng)訴狀未收到 無(wú)法評(píng)論
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，被美國(guó)紐約州、伊利諾州和佛羅里達(dá)州檢察長(zhǎng)，相繼提告操控價(jià)格的友達(dá)、奇美電，昨日表示，迄今未收到告訴狀，無(wú)法評(píng)論。奇美電說(shuō)，待收到訴狀將進(jìn)行研究，但對(duì)進(jìn)入法律程序案件，循例不對(duì)外說(shuō)明。 眾達(dá)國(guó)際法律事務(wù)所資深顧問(wèn)陳泰明11日表示，為今之計(jì)，被控公司首先要做好應(yīng)訴準(zhǔn)備;再針對(duì)訴狀之主張與專(zhuān)業(yè)律師展開(kāi)深入剖析。 陳泰明指出，自從美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬于就職演說(shuō)中，宣示反壟斷的決心，美國(guó)積極展開(kāi)打擊操控價(jià)格的企業(yè)行動(dòng)。他說(shuō)，上周末他就預(yù)言紐約州檢察長(zhǎng)將是第一把火，果然本周就有伊利諾州和佛羅
- 關(guān)鍵字： 友達(dá) DRAM
iSuppli：DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)
- iSuppli警告稱(chēng)，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類(lèi)芯片價(jià)格上漲。 iSuppli指出，當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類(lèi)供應(yīng)問(wèn)題：無(wú)法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備，部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。 DRAM芯片供應(yīng)緊張對(duì)全球計(jì)算機(jī)市場(chǎng)而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷(xiāo)量急劇增長(zhǎng)——第二季度同比增長(zhǎng)22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。 去年，許多DRAM芯片廠商沒(méi)有資金采購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備，今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
- 關(guān)鍵字： 計(jì)算機(jī) DRAM
iSuppli警告：DRAM下半年供不應(yīng)求
- 市場(chǎng)研究業(yè)者iSuppli警告，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限，DRAM市場(chǎng)下半年可能供不應(yīng)求。 分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期，今年DRAM芯片出貨量可望成長(zhǎng)49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測(cè)，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長(zhǎng)11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時(shí)供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負(fù)荷。 iSuppli指出，有兩個(gè)問(wèn)題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量，甚至恐會(huì)造成供不應(yīng)求。首先，由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
- 關(guān)鍵字： ASML DRAM
第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(zhǎng)約9.5%。 三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠 從市場(chǎng)面觀察，由于第二季 DRAM 合
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
iSuppli：下半年DRAM芯片短缺 價(jià)格將上漲
- 市場(chǎng)研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于個(gè)人電腦的主存儲(chǔ)芯片的短缺，將導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲。DRAM芯片廠商目前面臨兩個(gè)供應(yīng)問(wèn)題：無(wú)力獲得所 需的生產(chǎn)設(shè)備和難以引入高新技術(shù)。DRAM芯片短缺將為全球電腦市場(chǎng)帶來(lái)危機(jī)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC最新數(shù)據(jù)顯示，二季度個(gè)人電腦出貨量同比增長(zhǎng) 22.4%，而與此同時(shí)，DRAM芯片廠商仍然在試圖從去年的經(jīng)濟(jì)低迷中復(fù)蘇。 去年眾多DRAM廠商沒(méi)有足夠的資金來(lái)購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備，今年他們從設(shè)備廠商手中訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。 DRAM市場(chǎng)成功的關(guān)鍵在于盡可能快的生產(chǎn)出盡可能多、盡
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
華邦：NOR Flash市場(chǎng)3Q漲價(jià)不易
- 存儲(chǔ)器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%，稅后獲利較上季成長(zhǎng)率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示，華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷，第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營(yíng)收比重降至2%，未來(lái)華邦是全方面存儲(chǔ)器供應(yīng)商，第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產(chǎn)品線，其次是Mobile RAM，惟原本預(yù)計(jì)第4季才會(huì)供需平衡的NOR Flash市場(chǎng)，提前在第3季發(fā)生，因此預(yù)期第3季NOR Flash價(jià)格上漲不易，但華邦會(huì)推出新產(chǎn)品和持續(xù)耕耘一線大客戶，第3季整體成長(zhǎng)動(dòng)能仍是持續(xù)。 華邦第2季合并營(yíng)收新臺(tái)幣85.31億元，較上季成長(zhǎng)22%，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn) 供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力
- 近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn) 供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力
- 近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
DDR2季度出貨大幅縮水 三星芯片份額第一
- 市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內(nèi)存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告。受到期貨價(jià)格穩(wěn)定和出貨量小幅增長(zhǎng)的利好影響，該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比下降了3%，但是2GB DDR3內(nèi)存的期貨價(jià)格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價(jià)格進(jìn)一步下滑的影響，DDR2內(nèi)存該季度的出貨量大幅度降低。 二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長(zhǎng)10%，但所用晶圓出貨量增長(zhǎng)率只有3.8%。集邦科技分析稱(chēng)，芯片供應(yīng)商都將重點(diǎn)放在了制程工藝的升級(jí)，而非產(chǎn)能提升上面。 三
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來(lái)全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見(jiàn)到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
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