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          PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3% 

          •   沈寂已久的DRAM價格再度動起來,存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀,DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài),目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB,未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB,市場對于后市看法相當(dāng)樂觀,原本外界預(yù)期12月合約價格會開始下跌,反應(yīng)淡季效應(yīng),但目前開出是持平,反映市場供給不多,而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動,一口氣大漲3%;此外,下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。   存儲器模塊廠一致看好2010
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  存儲器  NAND   

          2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%

          •   據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測,2010年DRAM制造商資本支出總額將達到78.5億美元,較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛,但較2007年的214億美元還是有一定差距。   2011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預(yù)算將達到100億至120億美元,成長速度較2010年相對溫和。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          2009芯片市場收入下滑一成 Intel份額上漲

          •   受經(jīng)濟回暖影響,市場調(diào)研公司Gartner近日再次提高了對2009年全球芯片市場預(yù)期至2260億美元,不過和去年相比,這一數(shù)字仍舊下降了11.4%。Gartner十月份曾認為跌幅會達到17%。   Gartner半導(dǎo)體研究主管Stephan Ohr表示,半導(dǎo)體領(lǐng)域中最早顯示出回暖跡象的是PC市場,手機、汽車行業(yè)緊跟其后。不過企業(yè)在投資支出上依舊很保守,恢復(fù)很慢。   Gartner還預(yù)計,芯片巨頭Intel的市場份額將稍稍提升至14.2%;受到內(nèi)存芯片價格的影響,三星和海力士本年度的收入將會增加2
          • 關(guān)鍵字: Intel  芯片  DRAM  

          爾必達預(yù)期明年DRAM需求大增

          •   日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預(yù)期芯片將出現(xiàn)短缺潮,因而計劃在明年4月起的財年中,增加其資本支出。   爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示,爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。   他表示:“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。”   爾必達預(yù)期,一些驅(qū)動新需求的動力,例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng),有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生,進而提升存儲芯片的銷售力道。   坂本幸雄預(yù)期,明年全球用于電腦
          • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  存儲器  

          瑞晶將成臺第6家掛牌DRAM廠 爾必達是否釋股受注目

          •   臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)暌違4年,2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵,爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜,為枯木逢春的存儲器產(chǎn)業(yè)再添色彩!值得注意的是,目前爾必達對瑞晶持股達70%,申請掛牌前勢必要先釋股,持股降至50%以下,已傳出計畫引進策略聯(lián)盟伙伴的消息,產(chǎn)業(yè)上、下游供應(yīng)鏈都會是潛在的合作對象;存儲器業(yè)者分析,雖然日方希望爾必達能掌握瑞晶多數(shù)股權(quán),但若瑞晶未來可以獨立募資,這是對母、子公司都好的作法。   臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)共有6家DRAM廠,其中有5家已掛牌上市柜,1
          • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  存儲器  

          海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

          •   據(jù)《韓國時報》報道,內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元),比2009年的資本開支增加一倍。   這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn),剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。   這篇報道引述消息靈通人士的話說,海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報道還預(yù)計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  內(nèi)存芯片  

          臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵

          •   兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出,繼三星預(yù)計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后,海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元,使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作,盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略,在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起,但DRAM廠指出,實際上全球4大DRAM陣營板塊運動,仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。   隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出,隱約釋出對
          • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  NAND  

          DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測業(yè)價格調(diào)升有望

          •   DRAM景氣逐漸觸底反彈,相關(guān)業(yè)者預(yù)估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元,不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利,DRAM封測廠也有機會調(diào)漲代工價格,模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復(fù)到合理利潤,預(yù)期2010年DRAM產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面,DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。   聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季,預(yù)期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景,預(yù)估2個季度景氣應(yīng)為持平,不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產(chǎn)品別而言,Nor Flash和
          • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  存儲器  

          爾必達內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利

          •   12月11日訊,據(jù)國外媒體報道,受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響,日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結(jié)束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。   爾必達內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱:“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給,我們也將在本財年結(jié)束時首次實現(xiàn)年度盈利。”   日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱:“盡管這種
          • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  內(nèi)存  

          DDR2仍未過時,但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

          •   2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。   DDR2 還不算過時,而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時,它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而,DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。   主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡:英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。   新款英特爾處理器   促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是,新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR2  DDR3   

          DDR2仍未過時,但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

          •   2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。   DDR2 還不算過時,而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時,它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而,DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。   主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡:英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。   新款英特爾處理器   促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是,新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲  DDR3  DDR2  

          張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

          •   臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。   張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。   第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

          12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌

          •   12月上旬的存儲器合約價格中,DRAM合約價意外持平開出,南亞科副總經(jīng)理白培霖表示,主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳,16Gb芯片價格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平,下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位,以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。   近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈,1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元,屬于觸底反彈,然整個市場的交易量是相當(dāng)有限,反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  NAND  DRAM  

          張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

          •   12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。   張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。   第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

          爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計明年量產(chǎn)

          •   據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結(jié)盟,市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示:“目前沒有,但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。   茂德董事長陳民良透露,將引進新的投資對象,目前潛在合作對象有四個集團,但堅決不透露是誰中選。   業(yè)內(nèi)揣測,有意入股或金援茂德者,可能是結(jié)盟的爾必達,或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外,外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
          • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  
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          lpddr5x dram介紹

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