lpddr5x dram 文章 進入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。 臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3 存儲器
金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND
硅晶圓需求旺 1Q報價將調(diào)漲5~10%
- 晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊，加上8寸晶圓廠營運也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠交貨不及，產(chǎn)能無法應付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報價將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲器晶圓廠也都陸續(xù)恢復產(chǎn)能，第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 繼大陸太陽能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后，晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價，目前2010年第1季漲價幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓代工
DDR3將成為2010年主流 廠商以先進制程跟進
- DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴產(chǎn)應對。其中臺塑集團的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。 南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長逾45%。南科預計，在第二季度時，旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 看好DDR3將成為2010年主流，南科計劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標由2009年第四季度的30%-40%提
- 關(guān)鍵字： Elpida 50納米 DRAM 晶圓
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值)，如半導體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字： IC NAND DRAM
爾必達40納米制程正式對戰(zhàn)美光
- 一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預期，確定2010年可一舉進入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。 DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺動輒逾新臺幣
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 50納米
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM DRAM
美光爭取華亞科主導權(quán) 臺塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺塑集團攤牌，希望能增加認購比例，爭取華亞科更多股權(quán)，惟臺塑集團回決此提議，認為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示，在瑞晶股權(quán)落入爾必達(Elpida)手中后，華亞科主導權(quán)亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過，針對美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評。 2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場展望
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴廠競賽”以來，DRAM市場嚴重供過于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預期下，DRAM價格持續(xù)性下跌也就顯得理所當然。 所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出，停止原先擴廠計劃，單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例，2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計劃遭到凍結(jié)或延后，茂德更為確保現(xiàn)金，暫時退出標準型DRAM生產(chǎn)行列，轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM
臺12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風暴期間，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個產(chǎn)業(yè)面臨垮臺的命運，根本原因就是過去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場的資金，因此盲目蓋了太多的12吋廠，隨著微軟(Microsoft)的Vista換機潮成夢一場，DRAM供需失衡的問題浮出，全球金融風暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草，DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢。 熬過2009年，第1個出局的，反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺灣DRAM廠，而是奇夢達(Qimo
- 關(guān)鍵字： 奇夢達 DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場預測:價格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到，步入2010年，多數(shù)型號內(nèi)存價格已有小幅上漲，或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內(nèi)存價格一路上揚，其主要原因在于金融危機對中國市場的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒有迅速提高，導致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 據(jù)商家預計，2010年內(nèi)存價格仍會緩慢上漲，寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國外專業(yè)分析機構(gòu)DRAMeXchange報道，受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字： 奇夢達 DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
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