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Castellano預測半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境再度急轉(zhuǎn)直下
- 市場研究機構The InformatiON Network總裁RobertCastellano表示，半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當而沖的就是DRAM領域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應商造成負面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到?jīng)_
- 關鍵字： 半導體 DRAM
內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)
- 據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調(diào)機構DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。 現(xiàn)貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
- 關鍵字： 內(nèi)存 DRAM
爾必達12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱呢個，爾必達已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術，能用現(xiàn)有的設備來達成更精細制程，而無需進行大規(guī)模的資本投資。 爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
- 關鍵字： 爾必達 DRAM 30納米
半導體產(chǎn)業(yè)景氣惡化 庫存修正即將發(fā)生？
- 市場研究機構The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當而沖的就是DRAM領域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應商造成負面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
- 關鍵字： Intel 半導體 DRAM
iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復雜度和技術要求越來越
- 關鍵字： 芯片 內(nèi)存 DRAM
三星：左打臺積電、右攻英特爾，欲稱霸全球
- 全球半導體經(jīng)受金融危機后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導體有30%的增長，達到2900億美元。 半導體業(yè)步入新時期 由于半導體業(yè)已逼近摩爾定律的終點，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導體業(yè)正進入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級半導體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導體公司)+代工
- 關鍵字： 三星 半導體 DRAM
三星35納米4Q出擊 臺DRAM廠以卵擊石
- 三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標2010年底占總產(chǎn)能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。 近期DRAM合約價及現(xiàn)貨價均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當少見情況，甚至
- 關鍵字： 三星 DRAM 35納米
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