據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產費用出現(xiàn)增長，電腦內存芯片的生產成本近4年來首次上升。
美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內存芯片的平均生產成本從第一季度的每G內存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。
爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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內存 DRAM
市場調研iSuppli近期發(fā)布報告稱，今年二季度的DRAM內存芯片生產成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內存芯片生產花費支出的擔憂。從2005年開始，內存芯片的生產成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。
其實，二季度內存芯片生產成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產成
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DRAM 內存芯片
日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。
日本兩大半導體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。
東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。
南亞科技副總經理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內存廠爾必達及
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內存 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)表示，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實體的過程中，對高性能、低耗電半導體的需求也正逐漸增加，因此三星計劃以性能提升，且減少耗電量的半導體產品主導市場。
三星祭出Smart and Green Plus策略，不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導體，同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。
做為新策略的一環(huán)，三星自2009年起便與服務器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
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三星 半導體 DRAM
Gartner現(xiàn)在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產品在半導體銷售中占大多數份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。
Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
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半導體 DRAM NAND
臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語，認為未來2Gb產品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉進40納米制程世代，才會具有成本競爭力。
三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調，使得全球DRAM產業(yè)大幅受挫，臺系D
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三星 DRAM 40納米
據國外媒體報道，三星周二表示，由于全球PC市場低迷，DRAM內存芯片將于第四季度出現(xiàn)生產過剩的局面。
臺灣復華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經理約翰·酋(John Chiu)稱：“眾所周知，當前PC市場并不景氣。如果需求不能提升，那么庫存就會增加。”
約翰·酋還稱：“人們都把希望寄托于中國內地的10月長假和新年假期，如果需求有所增長，那么庫存就會有所緩解。”
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三星 DRAM
據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
國際研究暨顧問機構顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。
顧能表示，由于初期PC市場表現(xiàn)強勁和供應減少，使DRAM產業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉變，2012年的銷售恐將衰退29%。
不過，快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
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DRAM 閃存
據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
根據集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
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南科 DRAM Flash
市場研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷售額或將在2014年超越英特爾。
基于廣泛的芯片產品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預計，三星的芯片銷售額
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三星芯片 DRAM NAND
雖然在美國液晶電視市場的領先優(yōu)勢遭到蠶食，但三星在DRAM顆粒高級制造工藝上的投資就得到了回報。根據市場調研公司iSuppli發(fā)布的二季度DRAM市場統(tǒng)計報告，三星在保持DRAM市場老大位置的同時繼續(xù)擴大了自家市場份額。全球DRAM市場二季度收入為108億美元，相比一季度的94億美元上漲14.4%;DRAM出貨量按位計算增長近5%，平均價格增長9%。
三星該季度DRAM收入38億美元，和上一季度的31億美元相比增長24.3%，為前五大DRAM供應商中增速最快。三星該季度的DRAM市場份額為35.
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液晶電視 DRAM
不要忽略驗證工具
Mentor Graphics副總裁兼總經理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產品，版圖的寄生參數提取工具Calibre xACT 3D，Joseph稱，以往此類工具在提取器件的寄生參數時都是二維的，即對器件的幾何坐標進行標示和記錄從而確定寄生參數，而Calibre xACT 3D則是提取單個器件以及不同器件之間的三維空間信息，這樣所得到的寄生參數當然更精確。
八仙過海，鏖戰(zhàn)消費電子
電子產業(yè)的復蘇已經成為不爭的事實，眾廠商怎么在這第二輪增長中挖到自己
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Mentor USB接口 DRAM 存儲器 201008
過去臺灣在DRAM產業(yè)上的主要技術合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在制程技術上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術，在這一波金融風暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。
當年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術的十字路口時，日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士
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三星電子 DRAM
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