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DRAM價(jià)格跌不停
- 臺(tái)系DRAM廠茂德公布第3季財(cái)報(bào)，一如市場(chǎng)預(yù)期，第3季在沒(méi)有巨額業(yè)外獲利挹注的情況下，虧損持續(xù)擴(kuò)大，稅后虧損達(dá)新臺(tái)幣38.96億元，以減資后股本計(jì)算，每股稅后虧損1.5元;茂德第3季營(yíng)收則是呈現(xiàn)成長(zhǎng)，主要是導(dǎo)入爾必達(dá)(Elpida)63納米制程技術(shù)所帶來(lái)的出貨量成長(zhǎng)貢獻(xiàn)，但也因?yàn)镈RAM平均單價(jià)下滑影響，營(yíng)收成長(zhǎng)幅度未如預(yù)期，僅小幅成長(zhǎng)8.76%。
- 關(guān)鍵字： 茂德 DRAM
海力士Q3獲利翻5倍
- 受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開(kāi)始止跌回穩(wěn)。 海力士周四公布，第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場(chǎng)預(yù)期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長(zhǎng)近5倍，同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
內(nèi)存封測(cè)量增價(jià)跌致廠家營(yíng)收小幅增長(zhǎng)
- 受內(nèi)存廠先進(jìn)制程持續(xù)開(kāi)出，內(nèi)存封測(cè)及材料廠第4季接單量明顯成長(zhǎng)，不過(guò)，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)價(jià)格走低影響，封測(cè)價(jià)格也面臨降價(jià)壓力，因此第4季呈現(xiàn)量增價(jià)跌格局，預(yù)期各家營(yíng)收維持小幅成長(zhǎng)3~10%不等，是半導(dǎo)體業(yè)中少數(shù)還能維持成長(zhǎng)的族群。
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存封測(cè)
iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售有望破記錄
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對(duì)2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè)，但是它仍預(yù)期年底的利潤(rùn)將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測(cè)顯示利潤(rùn)上升了32%，比先前預(yù)測(cè)的35.1%有所下降。這主要是由于對(duì)四季度銷售額預(yù)期的降低。 據(jù)該機(jī)構(gòu)表示說(shuō)，今年的利潤(rùn)有望比去年同期增長(zhǎng)740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測(cè)這將是半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到巔峰的一年。 產(chǎn)品利潤(rùn)預(yù)期會(huì)增長(zhǎng)43%，DRAM將會(huì)在PC市場(chǎng)有一個(gè)87%的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。同時(shí)，由于智能手機(jī)不斷增長(zhǎng)的需求，無(wú)線通信市場(chǎng)將
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
半導(dǎo)體成長(zhǎng)攻頂2010年供需平衡增壓
- Gartner預(yù)測(cè)今年全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)率可攀至31.5%的高峰，而這股從去年景氣谷底復(fù)蘇的強(qiáng)勁力道，在歷經(jīng)連續(xù)五季的成長(zhǎng)后即將落幕，一直到2014年全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)率最高不會(huì)超過(guò)7%，主要是因?yàn)榘雽?dǎo)體庫(kù)存若不實(shí)時(shí)調(diào)整，供過(guò)于求的態(tài)勢(shì)恐持續(xù)擴(kuò)大。 Gartner副總裁JimEastlake表示，全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)趨勢(shì)已達(dá)高峰，一波調(diào)整庫(kù)存的浪潮將產(chǎn)生，以因應(yīng)半導(dǎo)體端和系統(tǒng)端供需失衡的擴(kuò)大。 Gartner副總裁JimEastlake表示，受景氣回溫影響，半導(dǎo)體產(chǎn)值自2009年第三季開(kāi)始超過(guò)系統(tǒng)端產(chǎn)值
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
力晶9月?tīng)I(yíng)收衰退至75.19億
- DRAM大廠力晶自結(jié)9月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計(jì)前9月?tīng)I(yíng)收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月?tīng)I(yíng)收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報(bào)價(jià)回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)爾必達(dá)63納米制程，未來(lái)成本可望進(jìn)一步下降。 受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)大幅下修的影響，DRAM廠9月?tīng)I(yíng)收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜，而逆勢(shì)成長(zhǎng)之外，其它各廠營(yíng)收都呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月?tīng)I(yíng)收都難逃衰退命運(yùn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格或迎來(lái)短期上漲
- 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢(shì)依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格有望在中國(guó)十一長(zhǎng)假后迎來(lái)小幅回升。 來(lái)自交易市場(chǎng)的消息稱，在十一長(zhǎng)假結(jié)束前市場(chǎng)對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長(zhǎng)假帶來(lái)的市場(chǎng)需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。 不過(guò)inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價(jià)格反彈只能是短期行為，不會(huì)持續(xù)太長(zhǎng)。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價(jià)格，這也影響了整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的價(jià)格走
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
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