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          多因素致DRAM供過于求

          •   路透報(bào)導(dǎo),全球第2大手機(jī)廠商三星電子(Samsung Electronics)表示,因PC市場(chǎng)需求降溫,DRAM供過于求的狀況將持續(xù)到2011年第2季。   三星的高層指出,雖然市場(chǎng)需求逐漸疲軟,但因投資增加的結(jié)果,供給會(huì)持續(xù)上揚(yáng),這也使得DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)供給過剩的問題,可能要等到2011年中狀況才會(huì)解除。   
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          海力士Q3獲利翻5倍

          •   受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效,南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估,內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。   海力士周四公布,第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場(chǎng)預(yù)期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長(zhǎng)近5倍,同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          DRAM廠3Q成績(jī)僅瑞晶逆勢(shì)突圍 

          •   DRAM廠第3季經(jīng)歷最冷的傳統(tǒng)旺季,營(yíng)運(yùn)成績(jī)單并不亮眼,其中南亞科和華亞科虧損較第2季擴(kuò)大,力晶雖然第3季是少數(shù)獲利的DRAM廠,但獲利幅度較第2季大幅縮水,瑞晶則是臺(tái)系DRAM廠中,唯一獲利幅度逆勢(shì)超過第2季的業(yè)者,而茂德第3季則是續(xù)虧;展望第4季營(yíng)運(yùn),目前DRAM價(jià)格還有修正空間,各廠力拼制程演進(jìn)來降低成本。   
          • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

          •   韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲(chǔ)器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  20納米  

          三星、海力士4Q營(yíng)收不樂觀

          •   DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月,韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲(chǔ)器公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

          •   南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說,然力晶卻搶先公布第3季財(cái)報(bào),稅后獲利19.36億元,若加計(jì)瑞晶獲利,第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)出不如預(yù)期,加上DDR3價(jià)格慢性崩盤,使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季,若1Gb芯片價(jià)格跌到1美元,2Gb芯片跌破2美元,這3家臺(tái)DRAM廠恐將全數(shù)虧損。   
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          內(nèi)存封測(cè)量增價(jià)跌致廠家營(yíng)收小幅增長(zhǎng)

          •   受內(nèi)存廠先進(jìn)制程持續(xù)開出,內(nèi)存封測(cè)及材料廠第4季接單量明顯成長(zhǎng),不過,由于DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)價(jià)格走低影響,封測(cè)價(jià)格也面臨降價(jià)壓力,因此第4季呈現(xiàn)量增價(jià)跌格局,預(yù)期各家營(yíng)收維持小幅成長(zhǎng)3~10%不等,是半導(dǎo)體業(yè)中少數(shù)還能維持成長(zhǎng)的族群。  
          • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存封測(cè)  

          景氣雖不明 海力士仍持續(xù)投資30納米制程

          •   雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響,不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  30納米  

          iSuppli:2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售有望破記錄

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,研究機(jī)構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對(duì)2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),但是它仍預(yù)期年底的利潤(rùn)將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測(cè)顯示利潤(rùn)上升了32%,比先前預(yù)測(cè)的35.1%有所下降。這主要是由于對(duì)四季度銷售額預(yù)期的降低。   據(jù)該機(jī)構(gòu)表示說,今年的利潤(rùn)有望比去年同期增長(zhǎng)740億美元,比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測(cè)這將是半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到巔峰的一年。   產(chǎn)品利潤(rùn)預(yù)期會(huì)增長(zhǎng)43%,DRAM將會(huì)在PC市場(chǎng)有一個(gè)87%的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。同時(shí),由于智能手機(jī)不斷增長(zhǎng)的需求,無線通信市場(chǎng)將
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          半導(dǎo)體成長(zhǎng)攻頂2010年供需平衡增壓

          •   Gartner預(yù)測(cè)今年全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)率可攀至31.5%的高峰,而這股從去年景氣谷底復(fù)蘇的強(qiáng)勁力道,在歷經(jīng)連續(xù)五季的成長(zhǎng)后即將落幕,一直到2014年全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)率最高不會(huì)超過7%,主要是因?yàn)榘雽?dǎo)體庫(kù)存若不實(shí)時(shí)調(diào)整,供過于求的態(tài)勢(shì)恐持續(xù)擴(kuò)大。   Gartner副總裁JimEastlake表示,全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)趨勢(shì)已達(dá)高峰,一波調(diào)整庫(kù)存的浪潮將產(chǎn)生,以因應(yīng)半導(dǎo)體端和系統(tǒng)端供需失衡的擴(kuò)大。   Gartner副總裁JimEastlake表示,受景氣回溫影響,半導(dǎo)體產(chǎn)值自2009年第三季開始超過系統(tǒng)端產(chǎn)值
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          美光多元化布局 不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品

          •   美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào),美光近幾年多角化發(fā)展十分成功,目前DRAM營(yíng)收比重有僅剩下25%,受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意的是,與存儲(chǔ)器龍大廠三星電子(Samsung Electronics)相同,美光執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton也對(duì)于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)前景的不確定因素發(fā)出預(yù)警。  
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  eMMC  

          力晶9月營(yíng)收衰退至75.19億

          •   DRAM大廠力晶自結(jié)9月營(yíng)收新臺(tái)幣75.19億元,較上月88.88億元減少15%,累計(jì)前9月營(yíng)收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示,9月營(yíng)收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)疲軟的影響,隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報(bào)價(jià)回穩(wěn),標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)爾必達(dá)63納米制程,未來成本可望進(jìn)一步下降。   受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)大幅下修的影響,DRAM廠9月營(yíng)收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜,而逆勢(shì)成長(zhǎng)之外,其它各廠營(yíng)收都呈現(xiàn)下滑趨勢(shì),包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營(yíng)收都難逃衰退命運(yùn)
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格或迎來短期上漲

          •   存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum表示,盡管下滑趨勢(shì)依舊,但內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格有望在中國(guó)十一長(zhǎng)假后迎來小幅回升。   來自交易市場(chǎng)的消息稱,在十一長(zhǎng)假結(jié)束前市場(chǎng)對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長(zhǎng)假帶來的市場(chǎng)需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨,下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。   不過inSpectrum也認(rèn)為,由于零售渠道的根本需求依舊很弱,所以這種價(jià)格反彈只能是短期行為,不會(huì)持續(xù)太長(zhǎng)。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價(jià)格,這也影響了整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的價(jià)格走
          • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  

          坂本幸雄踩剎車 瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃喊停

          •   個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴(kuò)產(chǎn),屆時(shí)將依照投資比重來分配DRAM貨源,但傳出DRAM價(jià)格崩盤后,PC客戶早已溜之大吉,瑞晶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃只好喊卡,然爾必達(dá)廣島廠的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度仍將如期進(jìn)行。   坂本幸雄表示,PC市場(chǎng)在傳統(tǒng)旺季的需求未如預(yù)期,將連累爾必達(dá)的財(cái)報(bào)獲利受到影響,但DRAM價(jià)格其實(shí)下修幅度已大
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)

          •   全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下,9月下旬合約價(jià)續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線,若價(jià)格再跌,恐會(huì)讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損,接下來要看大陸十一長(zhǎng)假后是否出現(xiàn)補(bǔ)貨需求,帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。   模塊廠表示,近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價(jià)跌幅較深,通路商補(bǔ)貨意愿不高,但在NAND Flas
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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