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	mos—fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
                                
          
                    
          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路
          
                                                            
            
                    	
          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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          • 關鍵字：
                        FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶                          
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          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響
          
                                                            
            
                    	
          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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          • 關鍵字：
                        FET  TPS22963  德州儀器  反向電流                          
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          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗
          
                                                            
            
                    	
          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術進步推動了這一進展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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          • 關鍵字：
                        電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅動器                          
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          如何設計防反接保護電路？
          
                                                            
            
                    	
          • 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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          • 關鍵字：
                        mos                          
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          揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管
          
                                                            
            
                    	
          • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數(shù)對電源設計工程師至關重要。
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          • 關鍵字：
                        MOS  電源                          
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          MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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          • 關鍵字：
                        MOS  FinFET                          
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          拯救EMI輻射超標，開關電源能做點啥？
          
                                                            
            
                    	
          •  作為工作于開關狀態(tài)的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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          • 關鍵字：
                        EMI  開關電源  MOS                          
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          DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解
          
                                                            
            
                    	
          • 在開關電源電路設計當中，電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉換，是指將一個電壓值轉化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開關電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
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          • 關鍵字：
                        DC-DC  MOS  同步  開關電源  非同步                          
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          為IC設計減少天線效應
          
                                                            
            
                    	
          • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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          • 關鍵字：
                        IC設計  天線  天線效應  充電損害  MOS                          
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          FET知識：采用結型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓?！　∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式?！　∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反?！　ET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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          • 關鍵字：
                        FET  放大電路                          
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          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路
          
                                                            
            
                    	
          • 該電路采用衰減場效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
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          • 關鍵字：
                        FET  壓控衰減器                          
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          單片機設計注意要點
          
                                                            
            
                    	
          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求，這樣單片機的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
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          • 關鍵字：
                        單片機  FET  穿通電流  工作頻率                          
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          學好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　導電能力介于導體與絕緣體之間的物質 - 半導體
　　硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動的物質稱為半導體。
　　

 
　　根據(jù)電流流動的構造，可將半導體分為N型和P型兩類。
　　半導體的電流流通原理
　　(1) N型半導體
　　圖1是在硅晶
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  FET                          
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          高手詳解，MOS及MOS驅動電路基礎總結
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。
　　下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。
　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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          • 關鍵字：
                        MOS  MOS驅動電路                          
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