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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	mos—fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
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          • 關(guān)鍵字：
                        CPU  IC設(shè)計(jì)  單晶硅  MOS  硅                          
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          研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　韓國(guó)蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。

　　由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。

　　石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
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          • 關(guān)鍵字：
                        石墨烯  FET                          
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          汽車啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來(lái)時(shí)，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時(shí)，就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET                          
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          如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感                          
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          經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)
          
                                                            
            
                    	
          • 經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)本電路是參照《無(wú)線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類分立件前級(jí)放大 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        FET  甲類前級(jí)                          
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          車載筆記本電源的設(shè)計(jì)制作
          
                                                            
            
                    	
          • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        車載筆記本  MOS  IC器件                          
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          eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
          
                                                            
            
                    	
          • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        eGaN  FET  硅功率器  轉(zhuǎn)換器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        同步降壓  FET  時(shí)序設(shè)計(jì)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較
          
                                                            
            
                    	
          • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SJ-MOS  VDMOS                          
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          電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序
          
                                                            
            
                    	
          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET    MOSFET    電源設(shè)計(jì)小貼士    德州儀器                          
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          電源設(shè)計(jì)：正確地同步降壓 FET 時(shí)序
          
                                                            
            
                    	
          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
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          • 關(guān)鍵字：
                        電源設(shè)計(jì)  同步降壓  FET  時(shí)序                          
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          X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        X-FAB  XT018  MOS                          
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          德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
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          • 關(guān)鍵字：
                        TI  TPS27081A  FET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器
          
                                                            
            
                    	
          • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問(wèn)題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        FET  光電  電位器  光耦                            
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          基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來(lái)改善能量效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于                          
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          mos—fet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mos—fet的理解，并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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