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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅動器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關鍵字： MOSFET IGBT 驅動器芯片

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
關鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

MAX5048C高電流MOSFET驅動器-高頻開關電源的理想選擇

MAX5048C是一個高速MOSFET驅動器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號，驅動外部MOSFET。該器件具...
關鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅動器

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關鍵字：門極驅動光耦隔離驅動IGBT Power MOSFET

飛兆提供業(yè)界領先的高可靠性體二極管性能

服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業(yè)電源應用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設計人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
關鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數(shù)字電源控制技術心存疑慮。他們經常將PC的藍屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當然，這種爭議會阻礙數(shù)字控制電源以
關鍵字： MOSFET 驅動器辦法性能電源提升數(shù)字控制如何

電源設計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
關鍵字： FET MOSFET 電源設計小貼士德州儀器

電源設計小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和F...
關鍵字：同步降壓 MOSFET 電阻比

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強、效率更高

汽車動力轉向系統(tǒng)的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)。
關鍵字：飛兆 MOSFET FDB9403

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車，以及ORing和熱插拔應用等。
關鍵字： IR MOSFET

高壓MOS缺貨晶片商搶推高整合LED驅動器

　　半導體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅動IC方案。在高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。　　恩智浦區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，調光與非調光LED驅動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅動IC方案確保客戶掌握貨源無虞。　　恩智浦(NXP)區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，20
關鍵字：恩智浦 LED MOSFET

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
關鍵字： Vishay MOSFET

Vishay將參加西安2012西部電源技術創(chuàng)新論壇

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國西部電源技術論壇。論壇與中國電源行業(yè)協(xié)會合辦，由Vishay技術專家做4場技術報告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應用。
關鍵字： Vishay 電容器電感器 MOSFET

功率元器件的發(fā)展與電源IC技術的變革

　　前言　　為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節(jié)電，通過功率元器件提升轉換效率。　　而提高轉換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產生幾十萬伏的電壓，通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機充電器所提供的約5V的電壓進行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉換，每次轉換都會發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
關鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]