mosfet-90n10 文章 進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)
應(yīng)用角:汽車 - 電動(dòng)汽車電池?cái)嚅_系統(tǒng)
- 在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常,在高壓電池系統(tǒng)中,需要三個(gè)接觸器:一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體,另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_電路圖如圖1所示?! ‰妱?dòng)汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池?cái)嚅_問題。功率半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: MOSFET,混合動(dòng)力
開關(guān)電源設(shè)計(jì):何時(shí)使用BJT而非MOSFET?
- MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 BJT MOSFET
教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
- 關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器 連續(xù)電流
功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用,此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式,在今天的文章中
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享
- 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中,利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力,還具有
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 設(shè)計(jì)
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
MOSFET開關(guān)損耗分析
- 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字: MOSFET 帶電插拔 緩啟動(dòng) 開關(guān)損耗
大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 MOSFET
功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式,供大家參考。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 關(guān)斷損耗
mosfet-90n10介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-90n10!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)mosfet-90n10的理解,并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)mosfet-90n10的理解,并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473