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大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機會
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET
功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%
- MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能。 由于去年下半年以來，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應(yīng)用加大對MOSFET的需求，導(dǎo)致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
- 關(guān)鍵字： 中興 ODM OEM MOSFET
汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換 SQJQ480E
IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運用知識學(xué)習(xí)
- IGBT基礎(chǔ)與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)
- 隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)。 宜特董事長 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。 邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設(shè)計高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設(shè)計，節(jié)省空間和物料清單成本?！ IPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計簡單、性價比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字： SiC，MOSFET
計算MOSFET非線性電容
- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜?！ OSFET三個相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關(guān)鍵字： MOSFET 非線性電容
電源設(shè)計經(jīng)驗之MOS管驅(qū)動電路篇
- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?！ ≡谑褂肕OSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源IC
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
- 全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計
- EPC公司的管理及技術(shù)團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上，與工程師會面并作技術(shù)交流。屆時，EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面。 AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
- 關(guān)鍵字： 宜普 MOSFET
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