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          騙子成堆的LED燈具廠商……

          利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

          • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET    LTC4225    LTC4227    

          東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu),并實(shí)現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能。即日開(kāi)始批量生產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  

          東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了最高級(jí)別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計(jì)劃于6月底投入量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  電阻  

          對(duì)使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

          • 摘要:由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價(jià)格又便宜,正在被越來(lái)越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

          利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)

          • 引言隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展,用于數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
          • 關(guān)鍵字: PowerTrench  MOSFET  

          飛兆開(kāi)發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

          •   電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下,提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為此,飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案,為設(shè)計(jì)人員提供交流感應(yīng)電機(jī) (ACIM) 和無(wú)刷直流電機(jī)逆變器解決方案,適用于功率最高為 200 W 的電機(jī),包括風(fēng)扇電機(jī)、洗碗機(jī)和各種小型工業(yè)電機(jī)。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  SPM  

          理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

          • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET  

          Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過(guò)

          •   雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長(zhǎng),但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場(chǎng)復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢(shì)追蹤服務(wù),這種需求缺口可能限制今年電子元件市場(chǎng)的增長(zhǎng)幅度。   2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺,預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)4.8%,盡管該市場(chǎng)的各個(gè)領(lǐng)域不會(huì)同樣強(qiáng)勁。   在假日季節(jié)之前的這個(gè)時(shí)期,MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動(dòng)沒(méi)有呈現(xiàn)出通常的水平。這個(gè)階段通常出現(xiàn)交貨期延長(zhǎng)和價(jià)格上漲現(xiàn)象,而目前尚未看到這些情況。同時(shí),消費(fèi)電子、汽
          • 關(guān)鍵字: 電子元件  MOSFET  

          為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士

          • 歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小貼士!隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理...
          • 關(guān)鍵字: 工作頻率    MOSFET    Pcon  

          飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

          • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程,將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi),代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  LED  

          安森美推出兩款新的MOSFET器件

          • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用,作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長(zhǎng)。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

          Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A~105A。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  E系列  MOSFET  

          功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)

          • 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信...
          • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識(shí)  
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          mosfet-90n10介紹

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