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在ZVS拓撲中選擇最優(yōu)的死區(qū)時間

摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓撲使用時的死區(qū)時間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點，甚至使那些過時的設(shè)計方案也能達到更好的性能。
關(guān)鍵字： ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器

2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導者麥瑞半導體公司(納斯達克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程柵極驅(qū)動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
關(guān)鍵字：麥瑞 MOSFET MIC4604

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 電壓型電流源

通過集成式解決方案進一步簡化PFC電路的設(shè)計

開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關(guān)電源包括大批量不同功率的應用，例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
關(guān)鍵字： PFC LED HiperPFS MOSFET CCM

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計

目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計 MOSFET

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET IGBT 整流器

以較高的開關(guān)頻率在負載點 (POL) 應用中工作

摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應用中的功率密度，同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
關(guān)鍵字：飛兆 Power POL MOSFET 晶圓

影響MOSFET性能的一些因素

在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
關(guān)鍵字： MOSFET

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET DC-DC FastIRFET

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場...
關(guān)鍵字：場效應管 MOSFET

分立器件一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器

LTC4366高壓浪涌抑制器實例應用講解（獨家）

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻

2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導通電阻

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 工頻變壓器

LTC4366高壓浪涌抑制器應用深入講解（獨家收錄）

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

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