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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車電子設(shè)計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導(dǎo)體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機控制應(yīng)用的新型30/40V器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計，其應(yīng)用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)?？刂破魃a(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動MOSFET的控制器及外接開關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
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Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
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IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
- 一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負載點（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2) 假設(shè)被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC，那么由公式可得需要測試的電壓值個數(shù)為： 256（顏色深度）ｘ384（pin數(shù)）ｘ2(Dot 翻轉(zhuǎn)） ＝196,608 一般的DC測試部件的測試時間為幾到幾十個uS，由此可知測試時間將會比較長。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測試時間根本無法讓人接受，因此在進行此類測試時需要使用數(shù)字采樣器（Dig
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?！ CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大，從測試原理上來說也就會有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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