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意法半導體第四代碳化硅功率技術問世！為下一代電動汽車電驅逆變器量身定制
- 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
- 關鍵字： STPOWER SiC MOSFET
【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退
- 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關鍵功能：自動提取設備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應力時間的應力測量序列輕松導出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
- 關鍵字： 202410 泰克科技 MOSFET
Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器。這些柵極驅動器專為驅動MOSFET而設計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
- 關鍵字： littlefuseli MOSFET
高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動級。柵極驅動器損耗
- 關鍵字： MOSFET IGBT 柵極驅動器 功率耗散
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內(nèi)應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關鍵技術首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內(nèi)應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
- 關鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
- 關鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 極氪
Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
- Nexperia近日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
- 關鍵字： Nexperia NextPower MOSFET
ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET，非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用！
- ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101，有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售，未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
- 關鍵字： ROHM Nch MOSFET 汽車車門 座椅 電機 LED前照燈
實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案
- 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后，現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長，帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
- 關鍵字： Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數(shù)字電源
貿(mào)澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
- 關鍵字： 貿(mào)澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應用
- OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
- 關鍵字： OptiMOS MOSFET 英飛凌
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