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          Diodes優(yōu)化互補式MOSFET提升降壓轉換器功率密度

          •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉換器,為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網(wǎng)絡控制器、路由器、網(wǎng)絡接口控制器、交換機、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。   降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性,
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

          宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現(xiàn)大電流承載能力的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列

          •   宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球,進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現(xiàn)大電流承載能力。   與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比,這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍,是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D
          • 關鍵字: 宜普電源  MOSFET  

          鋰離子電池組監(jiān)控系統(tǒng)研究與實現(xiàn) — 鋰電池組管理系統(tǒng)測試及結論

          •   本系統(tǒng)的電路板已經(jīng)設計成功并投入實際測試,系統(tǒng)電路板如圖7.1所示。        對鋰電池組管理系統(tǒng)的測試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測、過充和過放電保護功能、短路保護功能、溫度保護功能等內容。   7.1電壓采集功能測試   測試電壓采集功能時,首先按圖7.2所示方法連接系統(tǒng)。        將鋰電池組、保護器和上位機連接好后,用4位半高精度萬用表對所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產(chǎn)生)進行測量,并觀察上位機應用程序顯示的數(shù)據(jù),進行比較和記錄。
          • 關鍵字: 鋰離子電池  MOSFET  

          基于DSP的雙電動機同步控制平臺設計

          •   引言   長期以來,電動機作為機械能和電能的轉換裝置,在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優(yōu)點,既具有交流電動機結構簡單、運行可靠、維護方便的特點,又具有直流電動機運行效率高、調速性能好的優(yōu)點。正是這些優(yōu)點使得無刷直流電動機在當今國民經(jīng)濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置,根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號,通過DSP(數(shù)字信號處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅動電動機,實現(xiàn)無刷直流電動機的平穩(wěn)運轉。近年來,隨著工業(yè)的快速發(fā)展,對產(chǎn)品性能的
          • 關鍵字: DSP  MOSFET  

          高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

          •   1 MIL-STD-1275D 的要求   MIL-STD-1275D 定義了各種情況,最重要的是,對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求:啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。   在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前,先來看一下工作模式。毫不奇怪,“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
          • 關鍵字: 凌力爾特  MIL-STD-1275D  浪涌  MOSFET  紋波  

          COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

          •   目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中,傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術,用來為電動汽車提供電源,汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔。現(xiàn)在,總負載已經(jīng)輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性,如電子駐車制動器(EPB),防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能,如電子動力轉向(EPS),起停微混合,48V板網(wǎng)結構……,都能將功率要求提到更高的水平。另一方面,嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗,混合和電動汽車迅速增長
          • 關鍵字: COOLiRFET  MOSFET  DPAK  PQFN  硅片  

          BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)

          •   接上篇   4 設計趨勢   目前BCM設計技術日新月異,主要的趨勢是平臺化靈活性更高,集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行,關于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現(xiàn)。   4.1 集成度和靈活性   隨著汽車電子的發(fā)展,目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC,以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度,例如采用系統(tǒng)基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
          • 關鍵字: BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  SPI  

          BCM硬件設計的平臺化和半導體化(中)

          •   接上篇   2.2 驅動類型   在BCM設計中涉及到許多負載,對應不同的負載會采用不同的驅動類型,主要包括開關驅動和LED驅動兩類。   2.2.1 開關驅動   驅動類型主要是從驅動負載的電路拓撲加以考慮,主要有高邊驅動、低邊驅動、半橋驅動和全橋驅動(包括兩相全橋和三相全橋)四種,如圖8所示。   這四種拓撲常采用開關器件來實現(xiàn),開關器件種類很多,其中常見的有機械開關和半導體開關兩種,出于能效和壽命方面的優(yōu)勢,目前半導體開關是BCM設計中的主流選擇。半導體開關中有三極管、MOSFET和I
          • 關鍵字: BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  MCU  

          帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

          •   1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設計者提高電源密度   由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟性,汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機械解決方案(例如轉向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而,汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔。現(xiàn)在,總負載能夠輕松達到3 kW或更高,還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。   節(jié)油功能(例如電動助力轉向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結構)、更復雜的安全特性(例如電動駐車
          • 關鍵字: MOSFET  DPAK  SO-8  PQFN  PCB  

          更強勁、更簡單:看電源模塊的未來趨勢

          •   有線、無線網(wǎng)絡以及云計算的快速膨脹,這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢,帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡吞吐量的迅速攀升,需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這,需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。   最近,Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M,從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。   Intersil公司高級應用經(jīng)理梁志翔介紹說,Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起,ISL8272M可以說
          • 關鍵字: Intersil  ISL8272M  MOSFET  201504  

          8種噪聲測試技術的實現(xiàn),包括模塊電源、MOSFET等

          •   噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲,是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的,常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中,因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。   附加相位噪聲測試技術及注意事項   本文簡單介紹了相位噪聲的定義,詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程,給出了實際的測試結果,指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項,希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。   用于4G-LTE
          • 關鍵字: 模塊電源  MOSFET  

          短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

          •   近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入,人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構,例如缺陷、小孔隙和晶粒等,因而也會產(chǎn)生散粒噪聲,并且可能攜帶內部結構的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面,隨著器件尺寸的不斷縮小,MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著,已經(jīng)嚴重影響器件以及電路的噪聲水平,人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機理和特性,以便更好的抑制器件的散粒噪聲,實現(xiàn)器件和電路的
          • 關鍵字: MOSFET  

          CISSOID 公司推出 HADES v2

          •   CISSOID公司推出第二代 HADES®,一款高度集成的隔離式柵極驅動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性,柵極驅動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命,從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。   HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種,前者可以在溫
          • 關鍵字: CISSOID  MOSFET   

          聯(lián)合收獲機凹板間隙調節(jié)系統(tǒng)研究

          •   摘要:聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質量的關鍵因素之一,本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結構,通過控制線性驅動器對凹板間隙進行自動調節(jié)的系統(tǒng),實現(xiàn)了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調節(jié),通過試驗研究結果表明:該系統(tǒng)調節(jié)方便實用,且調節(jié)精度在5%以內。   引言   谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標,主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉的滾筒和固定的弧型凹板配合,使谷物從滾筒與凹板之問通過,經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷,通
          • 關鍵字: 凹板間隙  CAN  PWM  MOSFET  BTS7960  201504  

          打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

          •   摘要:本文通過對大唐恩智浦訪問,分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。   中國看世界,汽車電子是一個經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了,名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱:大唐恩智浦),占盡著天時、地利、人和,如何通過建立起新型合作模式,用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流,使筆者對其創(chuàng)新理念
          • 關鍵字: 大唐恩智浦  MOSFET  汽車電子  201504  
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          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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