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IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊 驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器
- 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì) MOSFET IGBT 專為
基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對(duì)這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
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金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]
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