<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> mosfet

          電源技術(shù)在高密度與新材料輔助下追逐高效

          • 電源技術(shù)的市場(chǎng)需求一直離不開高能效和清潔能源,在這兩個(gè)大的市場(chǎng)需求推動(dòng)下,電源技術(shù)對(duì)高能效的追求已經(jīng)不是簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)能夠滿足的,新的高能效密度的新材料成為市場(chǎng)的主要推動(dòng)力。
          • 關(guān)鍵字: 電源管理  MOSFET  智能電網(wǎng)  201401  

          安森美半導(dǎo)體用于低功率應(yīng)用的高能效AC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器方案

          • 近年來,世界各國(guó)政府為了因應(yīng)全球氣候變暖,紛紛制定更嚴(yán)格的高能效法規(guī)與標(biāo)準(zhǔn),提升電源能效,降低能耗,以期減輕對(duì)環(huán)境的壓力。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  LED  穩(wěn)壓器  AC-DC  

          介紹一種實(shí)用、優(yōu)秀的MOSFET驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)

          • 現(xiàn)各大公司的MOSFET驅(qū)動(dòng)器層出不窮,主要是針對(duì)小功率使用,使用有很多限制。在工業(yè)應(yīng)用上,大批還是用傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)  

          MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能

          • 移動(dòng)電話滲透率在已開發(fā)市場(chǎng)達(dá)到了很高比例,而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據(jù)GSMA的信息,先進(jìn)的歐洲國(guó)家的移動(dòng)用戶滲透率已經(jīng)超過90%。開發(fā)中市場(chǎng)的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來5年內(nèi)刺激全球移動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)的最大因素。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  電阻  移動(dòng)設(shè)備  LED  

          基于MOSFET與變壓器原邊串聯(lián)的RCD緩沖電路選擇

          • 對(duì)于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  變壓器  

          汽車啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

          • 為了限制油耗,一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

          深度揭秘——電荷泵設(shè)計(jì)及應(yīng)用

          • 電荷泵的基本原理是,電容的充電和放電采用不同的連接方式,如并聯(lián)充電、串聯(lián)放電,串聯(lián)充電、并聯(lián)放電等,實(shí)現(xiàn)升壓、降壓、負(fù)壓等電壓轉(zhuǎn)換功能。
          • 關(guān)鍵字: 電荷泵  Cboot  MOSFET  電路  

          Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)

          • 2013 年 12 月12 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Microchip推出三相無刷直流配套器件實(shí)現(xiàn)完整電機(jī)系統(tǒng)解決方案

          • 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器MCP8024。該器件能夠?yàn)閐sPIC?數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)和PIC?單片機(jī)(MCU)供電,同時(shí)驅(qū)動(dòng)六個(gè)N溝道MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Microchip  電機(jī)系統(tǒng)  MCP8024  MOSFET  

          EiceDRIVERTM 系列新品:1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器

          • 2013年12月4日,英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼:IFNNY)宣布,在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上,英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  驅(qū)動(dòng)器  IGBT  MOSFET  

          Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

          網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

          • 摘要:本課題的主要研究?jī)?nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計(jì)規(guī)范》要求研究設(shè)計(jì)了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
          • 關(guān)鍵字: 智能調(diào)光  LED  隧道照明  光耦  MOSFET  201312  

          高功率LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新方法

          • 摘要:傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動(dòng)電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作,成本低,容易實(shí)現(xiàn),但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高,因此傳統(tǒng)方法的損耗極大,效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)現(xiàn)方法,具有高性價(jià)比,輸出電流大,失真度低,且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: LED  照明驅(qū)動(dòng)  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312  

          東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會(huì)

          • 2013年11月22日,日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,在第十五屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏,盡在東芝智能社區(qū)”這一主題,重點(diǎn)展示了面向移動(dòng)終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲(chǔ)等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲(chǔ)卡  MOSFET  

          針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

          • 引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  
          共1257條 43/84 |‹ « 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 » ›|

          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

          熱門主題

          MOSFET-driver    樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();