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結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實現(xiàn)高級IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進(jìn)一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET IGBT 整流器

以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點 (POL) 應(yīng)用中工作

摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。本文詳細(xì)分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
關(guān)鍵字：飛兆 Power POL MOSFET 晶圓

影響MOSFET性能的一些因素

在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進(jìn)。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
關(guān)鍵字： MOSFET

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET DC-DC FastIRFET

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場...
關(guān)鍵字：場效應(yīng)管 MOSFET

分立器件一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器

LTC4366高壓浪涌抑制器實例應(yīng)用講解（獨家）

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 工頻變壓器

LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨家收錄）

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

日本無線株式會社（總部：東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長：小倉　良）開發(fā)出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān) ...
關(guān)鍵字：內(nèi)置 MOSFET 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
關(guān)鍵字：飛兆驅(qū)動器 MOSFET

東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 智能手機移動設(shè)備

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

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