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全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
- 關(guān)鍵字： MRAM 晶圓
迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 MRAM
MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
- 隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)前景。 或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向
- MRAM是新興的存儲(chǔ)器，為晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲(chǔ)器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。 MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機(jī)型的濺鍍?cè)O(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
- 關(guān)鍵字： DIGITIMES MRAM
臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
- 晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 MRAM
新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)
- 被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國(guó)際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。 MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(jié)(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
- 關(guān)鍵字： 三星 MRAM
IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世
- 在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上，來(lái)自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 此外，三星的研發(fā)團(tuán)隊(duì)以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。 三星將分別透過口頭簡(jiǎn)報(bào)以及海報(bào)展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
- 關(guān)鍵字： 28nm MRAM
MRAM大勢(shì)將至 產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計(jì)劃推動(dòng)
- 臺(tái)灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì)邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對(duì)該主題介紹市場(chǎng)與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項(xiàng)技術(shù)的看法，對(duì)于磁性存儲(chǔ)器(MRAM)的市場(chǎng)前景樂觀，并認(rèn)為臺(tái)灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的必要性。 在市場(chǎng)發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存市場(chǎng)會(huì)由非揮發(fā)性存儲(chǔ)器所主宰，在低耗電市場(chǎng)上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲(chǔ)器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運(yùn)算市場(chǎng)上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲(chǔ)器以及
- 關(guān)鍵字： MRAM
MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？
- MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開始變得越來(lái)越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
- 關(guān)鍵字： STT MRAM
三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
- 關(guān)鍵字： 三星 MRAM
28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 MRAM
IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
- 關(guān)鍵字： IBM MRAM
MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
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