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全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場的巨大轉(zhuǎn)變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
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迎接嵌入式存儲器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉(zhuǎn)變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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MRAM接班主流存儲器指日可待
- 隨著更多業(yè)者進入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)的未來前景。 或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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DIGITIMES：MRAM的進展與研發(fā)方向
- MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。 MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場良性競爭的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機型的濺鍍設(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
- 晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 臺積電技術(shù)長孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
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新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)
- 被視為次世代存儲器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實證。 MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(jié)(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世
- 在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預(yù)計將發(fā)表多項有關(guān)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。 三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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MRAM大勢將至 產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計劃推動
- 臺灣磁性技術(shù)協(xié)會邀請產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項技術(shù)的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認(rèn)為臺灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動的必要性。 在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動的非揮發(fā)性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日報導(dǎo)，IBM 和三星在電機電子工程師學(xué)會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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