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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險(xiǎn)投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器），其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM
- 相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺(tái)灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會(huì)較大。 工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 內(nèi)存 研發(fā) MRAM 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個(gè)反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個(gè)SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會(huì)因?yàn)樗幕旌鲜浇Y(jié)構(gòu)而受到影響。對準(zhǔn)和反對準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
- 關(guān)鍵字： 0702_A MR2A16A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會(huì)起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當(dāng)時(shí)業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中取代了磁芯存儲(chǔ)器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
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