mram 文章 進(jìn)入mram技術(shù)社區(qū)
日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲(chǔ)器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達(dá)21億美元
- 市場研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計(jì)為50%。
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非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM
- 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯?chǔ)器做了一個(gè)簡單的介紹。鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)前應(yīng)用于存儲(chǔ)
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NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟
- 專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
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MRAM熱輔助寫入 為實(shí)現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國研究機(jī)構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會(huì)議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項(xiàng)邊用加熱器對MTJ元件存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱后，矯頑力會(huì)
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Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)
- 韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計(jì)劃成立一 家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴(kuò)大專利交叉授權(quán)的范圍。
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Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運(yùn)營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)R
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韓國政府?dāng)y手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
- 根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，韓國政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 韓國知識(shí)經(jīng)濟(jì)部半導(dǎo)體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲(chǔ)器芯片市場，并預(yù)估該市場于2
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存儲(chǔ)芯片市場前景令人堪憂
- 去年，一場嚴(yán)重的“價(jià)格寒流”席卷了整個(gè)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，由于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片的平均銷售價(jià)格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(dá)(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財(cái)季凈虧損達(dá)1.132億美元。臺(tái)灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌和供過于求而宣布虧損。 存儲(chǔ)芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計(jì)劃。美光(Micron)近期就宣布，將
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