nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
全球新式存儲器大戰(zhàn) 臺控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段，預計9月開始對客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。 SanDisk：SSD全面進占資料中心 當云端應用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
走進三星半導體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 形成半導體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
蘋果要用？三星西安半導體工廠傳擴產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴增 50%。報導指出，據(jù)熟知三星事務的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 據(jù) 報導，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導入量產(chǎn)的廠商，且三星計劃
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
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