nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
東芝擴(kuò)大符合e ?MMC5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e?MMC? 版 5.1[1]標(biāo)準(zhǔn)、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
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東芝：智社會 人為本，我做到了
- 雖然東芝的宣傳口號是“智社會 人為本，以科技應(yīng)人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細(xì)觀看東芝強(qiáng)大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導(dǎo)體技術(shù)溫暖你的心”來形容它。因?yàn)闁|芝的很多設(shè)計(jì)確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。 東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量價(jià)為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線來滿足以上兩種市場的需求。 東芝展位 存儲產(chǎn)品解決方案 東
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閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計(jì)劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規(guī)?；虡I(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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東芝攜強(qiáng)大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強(qiáng)勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發(fā)布會，推出促進(jìn)人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會。
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诔杀据^具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價(jià)比優(yōu)勢更明顯 TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過去大幅提高，因而激勵消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。 三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。 在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補(bǔ)了這部分市場空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復(fù)合年均營收(目前為260億美元)將實(shí)現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨(dú)立混合系
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大陸手機(jī)市場驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國大陸智能型手機(jī)的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機(jī)整機(jī)的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個(gè)存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對機(jī)器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機(jī)存儲市場 著眼用戶體驗(yàn)提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機(jī)市場走勢的預(yù)測很多，總的觀點(diǎn)是增長率放緩。當(dāng)
- 關(guān)鍵字： NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆蛐枨蠖嗣媾R淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
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