nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

Spansion卷土重來，分析師眾說紛紜話前景

Spansion目前正準(zhǔn)備高調(diào)卷土重來，這次能否成功，抑或再次失?。糠治鰩煂?duì)Spansion的前景眾說紛紜。上個(gè)...
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嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略

嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略,開發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
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三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示，計(jì)劃投資36億美元，擴(kuò)大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對(duì)生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
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10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對(duì)于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當(dāng)大的增長。　　但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對(duì)于2010年有10個(gè)理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元，與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測(cè)，2010年增長19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售

　　6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃，讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為，目前全球的
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NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線

　　才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星　　根據(jù)DIGITIMES
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PIC單片機(jī)與串行閃存的SPI接口設(shè)計(jì)

本文介紹的M25P16與PIC16F877A的接口已應(yīng)用于自來水流量數(shù)據(jù)采集的本地存儲(chǔ)中。運(yùn)行穩(wěn)定可靠，未發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失現(xiàn)象，對(duì)其他應(yīng)用有一定的參考價(jià)值。
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三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏

　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。　　南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達(dá)2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單，未來是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。　　南亞科董事
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傳Spansion將出售兩座日本半導(dǎo)體廠給德州儀器

　　NOR型閃存大廠飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100億至200億日?qǐng)A價(jià)格出售位于日本福島縣會(huì)津若松市(Aizuwakamatsu)廠區(qū)的兩座半導(dǎo)體廠給德州儀器(TexasInstrumentsInc.)。　　報(bào)導(dǎo)指出，德儀計(jì)劃將12英寸廠生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)回美國德州，并將8英寸廠調(diào)整為模擬芯片生產(chǎn)線。德儀執(zhí)行長RichTempleton甫于4月26日指出，目前產(chǎn)出正處于歷史最高水淮，今年產(chǎn)能將因去年購買的8英寸晶圓設(shè)備上線而呈現(xiàn)逐季攀高
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NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場(chǎng)

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠商爭奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。　　按美元統(tǒng)計(jì)，今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷售收入。iSuppli稱，這是一個(gè)好消息，因?yàn)闅v史
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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對(duì)外銷售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。　　這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)時(shí)長的視頻片段。　　目前還不清楚首款配置這
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