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nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長(zhǎng)24%
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營(yíng)成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
- 關(guān)鍵字： Micron NAND Flash
海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)
- 由于目前存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營(yíng)收可望達(dá)到10年來的最高點(diǎn)。 目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。 另外，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片需求量節(jié)
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 存儲(chǔ)器芯片
閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境
- 據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng)，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場(chǎng)已恢復(fù)穩(wěn)定。 第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對(duì)溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。 NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng)，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá)，訪問時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。 富士通表示，將以這項(xiàng)N
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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_
- 韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。 據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。 無(wú)獨(dú)有偶，20
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東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造
- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動(dòng)工。目前，東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當(dāng)萎靡，但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷，閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開始回暖，而且未來一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。 按照東芝的計(jì)劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
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NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng) SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合
- NAND Flash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭(zhēng)相投入，隨著快閃記憶卡市場(chǎng)飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手環(huán)伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再，未來NAND Flash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進(jìn)SSD時(shí)代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購(gòu)權(quán)，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將展開一波整合及淘汰賽。 N
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東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工
- 日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。 東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。 包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長(zhǎng)，推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì)，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。 東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 Intel NA
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09年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應(yīng)商表現(xiàn)出色
- 2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無(wú)恙。總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商，2009年合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂跓衢T半導(dǎo)體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強(qiáng)勁需求，”iSuppli公司市場(chǎng)情報(bào)服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示，“
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SanDisk變身 開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓
- 據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。 據(jù)稱，SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商的上游供應(yīng)商之一。實(shí)際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對(duì)外供應(yīng)NAND閃存，但在當(dāng)時(shí)在全球閃存市場(chǎng)供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹(jǐn)慎的實(shí)行自有品牌的戰(zhàn)略。隨著近一兩年全球金融危機(jī)以
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局
- 最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯 片，其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。 據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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