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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          日韓貿易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長期須關注原廠庫存水位

          • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料,造成存儲器產業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉,集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經連續(xù)三個季度快速下滑,下游
          • 關鍵字: 日韓貿易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

          SK海力士宣布:全球首款128層4D NAND下半年開賣

          • SK海力士于26日宣布,將量產全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計劃下半年開始銷售。
          • 關鍵字: SK海力士  4D NAND  128層  

          停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌

          • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
          • 關鍵字: ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

          NAND閃存連跌一年半 減產也阻止不了跌價

          • NAND閃存價格已經連跌了6個季度,這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重,紛紛削減NAND產能。在群聯(lián)臺北電腦展上,群聯(lián)公司董事長潘建成也預測NAND閃存價格已經跌破了成本,未來跌幅會收窄,需求則會升溫。
          • 關鍵字: NAND  減產  

          長江存儲64層NAND量產在即 與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

          • 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團的銷售管道,采取自產自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
          • 關鍵字: 紫光集團  長江存儲  3D NAND  

          數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?

          • 多日后,當李工在領導面前拍著桌子指責我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
          • 關鍵字: 數(shù)據(jù)存儲  EEPROM  Flash  

          為物聯(lián)網行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻,Entegris用了哪些方法?

          • 當前,我們正在經歷第四次工業(yè)革命的歷史進程,在這里催生了很多新技術和新市場,比如物聯(lián)網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合,共同推動半導體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變人類的生活方式。
          • 關鍵字: 物聯(lián)網  Entegris  3D NAND  

          集邦咨詢:受惠需求回溫及產能調節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

          •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。  展望第二季,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經第一季的需求低谷之后,智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應商
          • 關鍵字: NAND  UFS  SSD  

          東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

          •   根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?!   ?jù)介紹,芯片將實現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產。  據(jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
          • 關鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

          存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

          • 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分攤到每年,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經歷幾年內虧損,但若想實現(xiàn)存儲器的國產替代,這種投入十分必要。
          • 關鍵字: NAND  存儲器  

          中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易

          •   據(jù)businesskorea報道,中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍。  然而,許多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個原因。  首先,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
          • 關鍵字: NAND  DRAM  

          IC Insights:大陸半導體制造困難大,五年后自制率不過半

          • ICInsights最新報告顯示,大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出,2018年大陸半導體市場為......
          • 關鍵字: 半導體  晶圓  NAND  

          2019年全球Flash支出達260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

          • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出。  ICInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元。 
          • 關鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

          美光行使認購期權,收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

          •   美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認購期權,收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權的意向?!  笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產制造柔性,配備高技術型人才隊伍,以推動 3D Xpo
          • 關鍵字: 美光,F(xiàn)lash  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]

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