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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand flash

          集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂

          •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  SSD  

          東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

          •   根據(jù)外媒的報(bào)道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5。    據(jù)介紹,芯片將實(shí)現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對(duì)QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。  據(jù)報(bào)道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

          存儲(chǔ)市場(chǎng)寡頭競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)能否突出重圍

          • 事實(shí)上中國(guó)巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國(guó)大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金,因此,我國(guó)廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕?,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開支也會(huì)給中國(guó)企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國(guó)企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損,但若想實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲(chǔ)器  

          中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量?韓媒:不太容易

          •   據(jù)businesskorea報(bào)道,中國(guó)計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心,不太可能接受中國(guó)的提議,因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴?! №n國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因?! ∈紫龋袊?guó)沒有提及將購(gòu)買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片,無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下,很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          IC Insights:大陸半導(dǎo)體制造困難大,五年后自制率不過半

          • ICInsights最新報(bào)告顯示,大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出,2018年大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)為......
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶圓  NAND  

          2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

          • 盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。  ICInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。 
          • 關(guān)鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

          美光行使認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

          •   美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權(quán)的意向?!  笆召?gòu) IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍,以推動(dòng) 3D Xpo
          • 關(guān)鍵字: 美光,F(xiàn)lash  

          韓媒:存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)陷入低迷,中國(guó)企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

          • 根據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea報(bào)道,由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷,存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格下跌,各大存儲(chǔ)器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來,雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?! o獨(dú)有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國(guó)存儲(chǔ)器廠商又將面對(duì)怎樣的未來呢? 
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器,NAND  

          集邦咨詢:供需失衡態(tài)勢(shì)難止,NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

          •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預(yù)計(jì)產(chǎn)能過剩難解。在此情況下,供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程,避免位元成長(zhǎng)過多導(dǎo)致過剩狀況加劇。  DRAMeXchange調(diào)查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
          • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  

          存儲(chǔ)器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點(diǎn)2018

          • 存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          中天弘宇:攻克核心設(shè)計(jì)缺陷 重建NOR閃存新生

          • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過,因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu),但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
          • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲(chǔ)器  

          半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變?

          •   半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn),排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來,應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。  2016年,應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
          • 關(guān)鍵字: ASML  NAND  

          突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

          • 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái),本次峰會(huì)匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下,企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值,變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)  存儲(chǔ)  傲騰  QLC 3D NAND  

          AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

          •   全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購(gòu)之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ?  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過9個(gè)季度之后,內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%,預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊懀虻谒拇髢?nèi)存芯片廠商南亞科
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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