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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          美光:始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          8月NAND合約價 較上月跌近2成

          • 根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   

          SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

          • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運(yùn),事業(yè)群自行加強(qiáng)競爭力,而SK海力士
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

          三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
          • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

          武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

          • 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會,業(yè)內(nèi)專家對
          • 關(guān)鍵字: 3D  NAND   

          NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

          • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項

          • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計  FlaSh  DSP  

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

          • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop,I
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術(shù)  

          3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

          • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高,許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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