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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

          •   韓媒NEWSIS報導,韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術,在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構,3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點,對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務,3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
          • 關鍵字: 3D NAND  半導體  

          NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚

          •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚,而近一個月漲幅開始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
          • 關鍵字: NAND Flash  

          中國成為全球新建晶圓廠主要推手

          •   全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國。   根據(jù)SEMI的統(tǒng)計,全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長13%、達到407億美元。        包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預期,3D NAND快閃記憶體、10奈
          • 關鍵字: 晶圓  NAND  

          火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工

          • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響,對供應緊張的NAND Flash雪上加霜,不過事故后回復速度很快,給當?shù)毓╇娋趾腿菓碧幚睃c個贊。
          • 關鍵字: 三星  Flash  

          三星否認擴產(chǎn)3D NAND?外資:三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%

          •   據(jù)韓國時報報導,三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定,但有分析師似乎認為韓媒的報導內(nèi)容相當可信。   barron`s.com16日報導,JP摩根發(fā)表研究報告指出,三星應該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開,且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。   另外,三星也將善用Line
          • 關鍵字: 三星  NAND  

          中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

          •   中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人,國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出,今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能,預估有超過一半都將來自中國。   據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導體廠,當中有10座設在中國,其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
          • 關鍵字: 半導體  NAND   

          NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康

          •   蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預估下半年營運會比上半年好。   創(chuàng)見預期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形,SSD需求強勁,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。   威剛董事長陳立白日
          • 關鍵字: NAND  DRAM  

          從Nand特性談其燒錄關鍵點

          •   為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…,等等,問了那么多為什么,那我反問一個問題:你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?    ?   一、Nand flash的特性   1、位翻轉(zhuǎn)   在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的,存儲單元的閾值電壓就對應著數(shù)據(jù)值。當讀取的時候,通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言,就只有兩種狀態(tài)和一個
          • 關鍵字: Nand  燒錄  

          中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)

          • 存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟產(chǎn)業(yè),想做起來太難,在過去的年月里,能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌,中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢?
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          2016年第一季NAND品牌營收排行榜

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下,第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%,已連續(xù)兩個季衰退。   2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響,通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
          • 關鍵字: NAND  英特爾  

          下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺

          •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點,今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價效應。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
          • 關鍵字: NAND Flash  

          武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

          •   紅色供應鏈來勢洶洶,外界原本認為,陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過有分析師預測,陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。   巴 倫(Barronˋs)6日報導,美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱,中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
          • 關鍵字: 新芯  NAND  

          DRAM和NAND技術助三星占據(jù)市場主導地位

          •   全球大部分半導體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強大的技術優(yōu)勢可以擴大部分關鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。   全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機增長放緩,讓半導體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。   將于周四公布第一季財報的三星,也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降,一些分析師預測1-
          • 關鍵字: DRAM  NAND  

          發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

          •   中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。   某研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片,相較于2015年增長近7倍。        預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%,其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   拓墣
          • 關鍵字: Flash  晶圓  

          TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

          •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片,相較于2015年增長近7倍。   TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%,其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
          • 關鍵字: Flash  NAND   
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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